[实用新型]膜层沉积设备

说明书

该实用新型涉及一种膜层沉积设备，包括：腔室；晶圆放置位，设置于腔室内；泵口，设置于腔室内，位于晶圆放置位旁，连通至泵，用于抽取腔室内的气体；泵罩，罩设于泵口，且泵罩顶面密封，侧面设置有通孔，泵通过通孔抽取腔室内的气体。由于在腔室内的泵口处罩设了一个泵罩，在通过泵对腔室内的气体进行抽取时，气流要经过泵罩侧边设置的通孔进入泵口，因此被泵罩所缓冲，不会被泵直接大流量的一次性所抽取，气流更加平缓均匀，因此在这样的腔室内沉积的晶圆表面的膜层，不会由于泵的过猛的抽气作用而使得沉积气体向晶圆边缘分布，不会出现沉积的膜层边缘厚、中心薄的现象，能够沉积出平整度理想的膜层，从而提高晶圆进行膜层沉积加工时的良率。

技术领域

本实用新型涉及晶圆生产制造加工设备领域，具体涉及一种膜层沉积设备。

背景技术

半导体工艺技术中的化学气相成膜(CVD)工艺作为主要的介质层成膜技术，在半导体技术中是很重要的一个模块，而且其在先进工艺中的应用也越来越广泛。在化学气相成膜工艺机台内，通常在一个腔室内设置有四个泵口，当气体在腔室内沉积膜层时，沉积出的膜层的平整度通常不会特别的理想，容易呈现中间薄、边缘厚的情形，影响晶圆进行膜层沉积加工时的良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种膜层沉积设备，能够沉积出平整度理想的膜层，从而提高晶圆进行膜层沉积加工时的良率。

为解决上述技术问题，以下提供了一种膜层沉积设备，包括：腔室；晶圆放置位，设置于所述腔室内；泵口，设置于所述腔室内，位于所述晶圆放置位旁，连通至泵，用于抽取所述腔室内的气体；泵罩，罩设于所述泵口，且所述泵罩顶面密封，侧面设置有通孔，所述泵通过所述通孔抽取所述腔室内的气体。

可选的，所述通孔的数目至少为两个。

可选的，所述泵罩呈圆柱形。

可选的，所述通孔设置成一排，且所述通孔所在的平面与所述泵罩的顶面平行。

可选的，所述通孔设置成两排以上，且所述通孔所在的平面与所述泵罩的顶面平行。

可选的，所有通孔均匀分布于所述泵罩的侧面。

可选的，所述晶圆放置位的数目为四个。

可选的，四个所述晶圆放置位以2×2的排列方法排列于所述腔室内的同一平面上，且各行之间的距离与各列之间的距离相等。

可选的，所述泵口的数目为四个，分别两两设置在两列晶圆放置位之间，以及两两设置在两行晶圆放置位之间。

可选的，所述四个泵口的连线的外轮廓构成一正方形，且该正方形的对角线，与所述四个晶圆放置位构成的正方形的对角线呈45°度夹角。

以上膜层沉积设备由于在腔室内的泵口处罩设了一个泵罩，在通过泵对所述腔室内的气体进行抽取时，气流要经过泵罩侧边设置的通孔进入泵口，因此被所述泵罩所缓冲，不会被所述泵直接大流量的一次性所抽取，气流更加平缓均匀，因此在这样的腔室内沉积的晶圆表面的膜层，不会由于泵的过猛的抽气作用而使得沉积气体向晶圆边缘分布，不会出现沉积的膜层边缘厚、中心薄的现象，能够沉积出平整度理想的膜层，从而提高晶圆进行膜层沉积加工时的良率。

附图说明

图1为本实用新型的一种具体实施方式中的膜层沉积设备的腔室的俯视示意图(未加泵罩时)。

图2为本实用新型的一种具体实施方式中的泵罩的俯视示意图。

图3为本实用新型的一种具体实施方式中的泵罩的立体结构示意图。

图4为本实用新型的一种具体实施方式中的腔室内气体流向示意图。

具体实施方式