[实用新型]一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚有效
| 申请号： | 201920963067.3 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN210065980U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 赵丽丽;刘德超;范国峰;袁文博;张胜涛 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 23209 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹徐婷 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 第一层 坩埚盖 晶体生长坩埚 本实用新型 底部支撑 顶部设置 区域接触 双层结构 坩埚内壁 界面处 台阶肩 籽晶层 两层 加工 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚，包括第一层坩埚(1)和第二层坩埚(2)，其特征在于，所述第一层坩埚(1)内壁上加工有台阶肩(1-1)，所述台阶肩(1-1)上放置有第二层坩埚(2)，所述第二层坩埚(2)放置在所述第一层坩埚(1)内部，所述第一层坩埚(1)顶部设置有坩埚盖(3)，所述坩埚盖(3)下方设置有籽晶层(4)；
所述第二层坩埚(2)包括底部支撑部(2-1)和顶部承装部(2-2)，所述底部支撑部(2-1)放置在所述第一层坩埚(1)内壁上的台阶肩(1-1)上，所述底部支撑部(2-1)上端固定有所述顶部承装部(2-2)，所述底部支撑部(2-1)上加工有镂空气相孔(2-1-1)；
所述第一层坩埚(1)和所述第二层坩埚(2)内部均填充有晶体原料。
2.根据权利要求1所述的一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚，其特征在于，所述第二层坩埚(2)的底部支撑部(2-1)上设置有两组收取耳(2-1-2)，所述收取耳(2-1-2)上加工有收取孔(2-1-2-1)。
3.根据权利要求1所述的一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚，其特征在于，所述第一层坩埚(1)和所述第二层坩埚(2)均为石墨坩埚或耐高温金属坩埚。
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