[实用新型]一种引线框架的蚀刻设备有效
| 申请号: | 201920961007.8 | 申请日: | 2019-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN209843664U | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
| 发明(设计)人: | 刘帅帅;王一朝 | 申请(专利权)人: | 天水迈格智能设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/67 |
| 代理公司: | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵宇 |
| 地址: | 741024 甘肃省天水市天水经济*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻 螺纹轴 引线框架 漂洗室 蚀刻室 本实用新型 动力机构 环形传动 蚀刻设备 导程 转动 加工技术领域 螺纹传动配合 弹性夹板 横向间隔 生产效率 蚀刻工艺 相邻距离 浸入 供电箱 环形面 蚀刻液 壁厚 上套 无盖 成型 清洗 观察 | ||
本实用新型涉及引线框架加工技术领域,公开了一种引线框架的蚀刻设备,包括无盖的蚀刻箱,蚀刻箱内横向间隔设有蚀刻室、漂洗室,蚀刻箱上方横向设有螺纹轴,蚀刻室、漂洗室所对螺纹轴的导程为整数,且蚀刻室与漂洗室相邻距离、蚀刻箱的壁厚远小于螺纹轴的导程,螺纹轴上套设有与其螺纹传动配合的环形传动体,环形传动体上固定设有可沿环形面转动的弹性夹板,蚀刻箱的一侧设有带动螺纹轴转动的动力机构,蚀刻箱的一侧设有与动力机构连接的供电箱。本实用新型一方面解决了现有蚀刻设备蚀刻和清洗工作分开进行,增加了蚀刻工艺的复杂性,降低了引线框架的生产效率,另一方面解决了原工件浸入蚀刻液时,原工件蚀刻成型情况不易观察的问题。
技术领域
本实用新型涉及引线框架加工技术领域,特别涉及一种引线框架的蚀刻设备。
背景技术
引线框架作为集成电路芯片载体,是一种借助于键合材料实现芯片内部的电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,随着电子元气件向高密度化、小型化和大功率化方向的发展,对引线框架材料的导电导热架强度等要求越来越高,综合性优异的铜合金成为集成电路引线框架的主导材料,并且向着细间距产品发展,因此,对引线框架的制作工艺和设备要求就越来越多样化。
引线框架的制作工艺有冲压法和蚀刻法两种工艺,冲压法一般采用高精度带材经自动化程度很高的告诉冲床冲制而成,适宜批量生产,对于小批量、多品种、多引线、小间距的引线框架制作需要采用蚀刻法制作,蚀刻法加工时无应力加工手段,是通过一种感光抗蚀剂将工件部分保护,再用一种强氧化剂将其它部分蚀刻掉,最后得到需要的元件,在上述蚀刻法加工中,一方面现有蚀刻设备只能进行蚀刻工作,再进行清洗工作,清洗掉引线框架表面的强氧化剂,蚀刻和清洗工作分开进行,增加了蚀刻工艺的复杂性,降低了引线框架的生产效率,另一方面原工件浸入蚀刻液时,不易观察到原工件的侵蚀成型情况,只能通过手动提拉工件出蚀刻液面观察,存在原工件蚀刻成型情况不易观察的问题,综上所述,因此我们急需设计一种蚀刻设备解决以上问题。
实用新型内容
基于以上问题,本实用新型提供了一种引线框架的蚀刻设备,一方面解决了现有蚀刻设备蚀刻和清洗工作分开进行,增加了蚀刻工艺的复杂性,降低了引线框架的生产效率,另一方面解决了原工件浸入蚀刻液时,原工件蚀刻成型情况不易观察的问题。
为解决以上技术问题,本实用新型采用的技术方案如下:
一种引线框架的蚀刻设备,包括无盖的蚀刻箱,蚀刻箱内横向间隔设有蚀刻室、漂洗室,蚀刻箱上方横向设有螺纹轴,蚀刻室、漂洗室所对螺纹轴的导程为整数,且蚀刻室与漂洗室相邻距离、蚀刻箱的壁厚远小于螺纹轴的导程,螺纹轴上套设有与其螺纹传动配合的环形传动体,环形传动体上固定设有可沿环形面转动的弹性夹板,蚀刻箱的一侧设有带动螺纹轴转动的动力机构,蚀刻箱的一侧设有与动力机构连接的供电箱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





