[实用新型]基于石墨烯等离激元的磁场增强结构有效
| 申请号： | 201920955899.0 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN210401901U | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 马增红;陈子坚;徐建;张链;陈霞;刘晔 | 申请（专利权）人： | 天津中德应用技术大学;天津威利安电工器材有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 李文洋 |
| 地址： | 300350 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 离激元 磁场 增强 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于石墨烯等离激元的磁场增强结构，其特征在于：包括石墨烯结构以及基底，所述石墨烯结构设置在所述基底上，所述石墨烯结构为微纳结构；在石墨烯结构的一侧镀上金属电极，将栅压在金属电极和基底之间；所述石墨烯的形状为由两个顶点相交的石墨烯正三角形与石墨烯带连接形成。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯等离激元的磁场增强结构，其特征在于：所述石墨烯结构为单层石墨烯。
3.根据权利要求1所述的基于石墨烯等离激元的磁场增强结构，其特征在于：所述基底为硅。
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