[实用新型]一种游戏手柄双位充电座的电路结构

权利要求书

1.一种游戏手柄双位充电座的电路结构，其特征在于：

包括用于提供+5V直流电压的USB电源输入模块(1)、过流保护模块(2)、过压保护模块(3)、包括+5V电压输出端和+3.3V电压输出端的DC转DC模块(4)、中心控制器(5)；

进一步包括分别与中心控制器(5)电连接的第一电流采样模块(6)、第一Type-C公头组件(7)、第二Type-C公头组件(8)、第二电流采样模块(9)、用于实时监测两Type-C公头组件充电电压是否异常的参考电压模块(10)、系统调试端子(11)、时钟输入调试模块(12)、用于充电显示和过压示警的第一充电显示模块(13)、用于充电显示和过压示警的第二充电显示模块(14)；

所述过流保护模块(2)电连接USB电源输入模块(1)和过压保护模块(3)，过压保护模块(3)的输出端电连接DC转DC模块(4)，所述+5V电压输出端电连接第一Type-C公头组件(7)、第二Type-C公头组件(8)、参考电压模块(10)，所述+3.3V电压输出端电连接中心控制器(5)、第一Type-C公头组件(7)和第二Type-C公头组件(8)，第一电流采样模块(6)电连接第一Type-C公头组件(7)，第二Type-C公头组件(8)电连接第二电流采样模块(9)。

2.根据权利要求1所述的游戏手柄双位充电座的电路结构，其特征在于：

所述过流保护模块(2)包括负载电流超过1.5A时快速熔断的保险丝(F1)以及型号为SS34的肖特基二极管(D1)；

所述保险丝(F1)串联在+5V电压输入电路上，且肖特基二极管(D1)阴极接保险丝(F1)的输出端、阳极接地。

3.根据权利要求2所述的游戏手柄双位充电座的电路结构，其特征在于：

所述过压保护模块(3)包括型号为WS3202E的过压保护芯片(U3)，所述过压保护芯片(U3)的第3脚接肖特基二极管(D1)的阴极、第4脚接DC转DC模块(4)的输入端，所述过压保护芯片(U3)的第1脚、第2脚、第5脚、第6脚接地。

4.根据权利要求3所述的游戏手柄双位充电座的电路结构，其特征在于：

所述DC转DC模块(4)包括型号为ME6209-33的用于将+5V直流电转换为+3.3V直流电的低压稳压IC芯片(U2)。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的游戏手柄双位充电座的电路结构，其特征在于：

所述中心控制器(5)是型号为HJM2522的16脚的主控芯片(U4)，所述主控芯片(U4)的第1脚和第3脚接第一Type-C公头组件(7)、第2脚和第4脚接第二Type-C公头组件(8)、第5脚接第一电流采样模块(6)、第6脚接第二电流采样模块(9)、第7脚和第8脚接第一充电显示模块(13)、第9脚接参考电压模块(10)、第10脚接时钟输入调试模块(12)、第11脚接系统调试端子(11)、第12脚接所述的+3.3V电压输出端、第13脚接地、第14脚空载、第15脚和第16脚接第二充电显示模块(14)。

6.根据权利要求5所述的游戏手柄双位充电座的电路结构，其特征在于：

所述第一Type-C公头组件(7)和第二Type-C公头组件(8)的电路结构相同；

所述第一Type-C公头组件(7)包括第13电阻(R13)、第21电阻(R21)、型号为S8050的三极管三(Q3)、第3电阻(R3)、型号为AF2301的MOS管一(Q1)、第18电阻(R18)、第2电阻(R2)、ESD二极管九(D9)、ESD二极管十(D10)、ESD二极管七(D7)、第一Type-C公头(PAD1)；

主控芯片(U4)的第1脚接第13电阻(R13)的一端，第13电阻(R13)的另一端接第21电阻(R21)的一端和三极管三(Q3)的基极，第21电阻(R21)的另一端和三极管三(Q3)的发射极接地，第3电阻(R3)的一端接三极管三(Q3)的集电极、另一端接所述的+5V电压输出端，MOS管一(Q1)的源极接所述的+5V电压输出端、栅极接三极管三(Q3)的集电极、漏极接第一Type-C公头(PAD1)的第1引脚，ESD二极管九(D9)一端接MOS管一(Q1)的漏极，第一Type-C公头(PAD1)的第2引脚接第18电阻(R18)、第2电阻(R2)和ESD二极管十(D10)的一端，第18电阻(R18)的另一端接所述+3.3V电压输出端，第2电阻(R2)的另一端接主控芯片(U4)的第3脚，第一Type-C公头(PAD1)的第3引脚接ESD二极管七(D7)的一端和第一电流采样模块(6)，ESD二极管九(D9)、ESD二极管十(D10)、ESD二极管七(D7)的另一端接地。