[实用新型]一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器

权利要求书

1.一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，包括由下至上的衬底（1）、底层石墨烯层（2）、InGaN纳米柱阵列（4）和与纳米柱阵列间形成肖特基接触的顶层石墨烯层（5），还包括位于纳米柱阵列（4）一侧的第一Au金属层电极（6），以及位于纳米柱阵列（4）另一侧的阻隔底层和顶层石墨烯层接触的SiO₂绝缘层（3），且第一Au金属层电极（6）和SiO₂绝缘层（3）均位于底层石墨烯层（2）上方，第二Au金属层电极（7）与SiO₂绝缘层（3）通过顶层石墨烯层（5）隔开。

2.根据权利要求1所述的GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，所述衬底（1）为蓝宝石、Si或La_0.3Sr_1.7AlTaO₆。

3.根据权利要求1所述的GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，所述衬底（1）的厚度为420~430 μm。

4.根据权利要求1所述的GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，所述底层石墨烯层（2）和顶层石墨烯层（5）的层数为1~3层，厚度为3~5 nm。

5.根据权利要求1所述的GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，所述InGaN纳米柱阵列（4）长度为280~400 nm，直径为60~80 nm，密度为4.0~12.0×10⁹ /cm²。

6.根据权利要求1所述的GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，所述SiO₂绝缘层（3）的厚度为250~370 nm。

7.根据权利要求1所述的GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，所述第一Au金属层电极（6）和第二Au金属层电极（7）尺寸相同，厚度为100~150 nm，长度为300~330 μm，宽度为50~75 μm。

8.根据权利要求1所述的GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，第一Au金属层电极（6）和第二Au金属层电极（7）的间距为250~300 μm。