[实用新型]一种电源管理芯片过温保护电路

说明书

本实用新型公开一种电源管理芯片过温保护电路，包括启动与偏置电流产生电路模块、温度检测电路模块、电压比较电路和控制反馈电路模块，利用三极管的温度特性产生正温度系数的温度检测电压，通过电压比较器和系统预设电压进行比较，当采样温度高于预设值时，过温保护电路输出低电平进而关断芯片系统，实现电源管理芯片过温保护。

技术领域

本实用新型涉及芯片过温电路技术领域，尤其涉及一种电源管理芯片过温保护电路。

背景技术

过温保护电路是电源管理芯片中一种重要的保护电路，电源短接、内部短路或重负载等情况下产生功耗增加，引起芯片内部温度上升，芯片中的晶体管由于高温而失效，传统过温保护电路检测系统工作温度，温度超出限定值，则会关闭电源，让芯片自然冷却，冷却耗时较长，造成电源系统不稳定。

实用新型内容

为了解决现在技术的不足，本实用新型公开一种电源管理芯片过温保护电路。

为实现上述目的，本实用新型提供一种电源管理芯片过温保护电路，包括启动与偏置电流产生电路模块、温度检测电路模块、电压比较电路和控制反馈电路模块；启动与偏置电流产生电路模块包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1，芯片系统提供启动电流Ibias，过温保护电路启动，第一晶体管M1和第二晶体管M2组成电流镜复制电流Ibias到第一三极管Q1，第二三极管Q2与第一电阻R1产生偏置电流，温度检测电路模块包括第四晶体管M4、第二电阻R2、第三电阻R3，第三晶体管M3与第四晶体管M4组成电流镜复制偏置电流到温度检测电路，电压比较电路和控制反馈电路模块包括第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8、第九晶体管M9、第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13、第三三极管Q3、电容C1，第五晶体管M5-M12与电容C1组成电压比较器实现比较温度检测电压VN和系统预设电压VP。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

当采样温度高于系统预设温度时，过温保护电路输出低电平，芯片系统被关断，避免芯片系统由于高温造成损坏，当工作温度低于预设温度时，过温保护电路输出高电平，芯片系统重新正常工作，同时芯片系统工作温度由低到高和由高到低过程中跳变门限电压设有迟滞温度，有效避免芯片系统由于工作温度波动造成的反复关断，本实用新型低功耗、高精度、高可靠性。

附图说明

图1是本实用新型的电路原理图。

具体实施方式