[实用新型]一种应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构有效

专利信息
申请号: 201920933694.2 申请日: 2019-06-20
公开(公告)号: CN210167800U 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 郭虎;王照新;李建伟;蔡彩银 申请(专利权)人: 浙江德芯空间信息技术有限公司
主分类号: H02H5/04 分类号: H02H5/04;G01K7/16
代理公司: 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 代理人: 孙艾明
地址: 313200 浙江省湖州市德清县舞阳*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用 三极管 温度 特性 进行 芯片 保护 结构
【说明书】:

实用新型涉及一种应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构,芯片过温保护结构,包括:芯片;温度检测组件,安装于所述芯片表面的温度检测部件,用于检测所述芯片的工作温度;三极管特性过温保护电路,设置在所述芯片的一侧,温感电阻安装于芯片的表面,其在不同温度下呈现不同的阻值;传感器与温感电阻相连,用于检测温感电阻的阻值,据此确定芯片的工作温度,并将所确定的工作温度值传输给三极管特性过温保护电路,温感电阻可通过绝缘胶固定安装于芯片的表面上,绝缘胶一方面能够起到固定温感电阻的作用,另一方面还能够使温感电阻与芯片的表面电路及元器件保持电绝缘,避免芯片中的电信号对温感电阻中的信号造成不必要的干扰。

技术领域

本实用新型涉及三极管温度特性应用技术领域,特别涉及一种应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构。

背景技术

三极管也称晶体三极管,在电子电路中,三极管可以说是无处不在,三极管以其放大,扩流,代换等作用被广泛应用于各种电路。

在集成电路芯片(Integrated Circuit,IC)电路的开发设计阶段,芯片的工作温度会随着其运行状态和运行时间而不断变化。随着芯片集成化程度越来越高、功能越来越复杂,芯片的工作温度对其影响也变得越来越大。对于显示屏的芯片而言,如果芯片的工作温度过高会对芯片造成损伤,损伤程度较轻时会产生竖纹、黑屏、闪线等诸多问题,严重时会导致芯片烧毁,甚至引起火灾。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解,因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型实施例希望提供一种应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构,以解决或缓解现有技术中存在的技术问题,至少提供一种有益的选择。

本实用新型实施例的技术方案是这样实现的:

根据本实用新型的一个实施例,提供一种应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构,芯片过温保护结构,包括:

芯片;

温度检测组件,安装于所述芯片表面的温度检测部件,用于检测所述芯片的工作温度;

三极管特性过温保护电路,设置在所述芯片的一侧,用于测控所述芯片的过温保护;

比较器,设置在所述芯片与所述三极管特性过温保护电路之间,并与所述芯片与所述三极管特性过温保护电路连接,所述比较器包括正输入端,负输入端,输出端。

在一些实施例中,所述温度检测组件包括通过绝缘胶固定安装于所述芯片表面的温感电阻,其在不同温度下呈现不同的阻值;

与所述温感电阻相连的传感器,用于检测所述温感电阻的阻值,据此确定所述芯片的工作温度,并将所确定的工作温度值传输给所述三极管特性过温保护电路。

在一些实施例中,所述传感器底部固定有绝热膜,所述传感器和所述绝热膜通过绝缘胶粘贴于所述芯片表面。

在一些实施例中,所述三极管特性过温保护电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、电容C1、电容C2、第一NMOS管MN1、第二NMOS管 MN2、第一NPN晶体管Q1、第二NPN晶体管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻 R3和输出整形电路。

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