[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201920929686.0 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN209729911U | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 龙春平;李会 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭润湘<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源信号线 第二信号 显示面板 源漏金属层 阵列基板 并联 电阻 本实用新型 等效电阻 显示装置 电连接 均匀性 信号线 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上依次层叠设置的第一源漏金属层、第一绝缘层和第二源漏金属层;
所述第一源漏金属层包括多条第一信号线,所述第二源漏金属层包括多条第二信号线,所述第一信号线和所述第二信号线均沿第一方向延伸,所述第一信号线和所述第二信号线一一对应,一一对应的所述第一信号线和所述第二信号线具有交叠区域,且一一对应的所述第一信号线和所述第二信号线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔电连接构成一条第一电源信号线。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述衬底基板与所述第一源漏金属层之间层叠设置的第一栅极金属层和层间绝缘层,所述第一栅极金属层靠近所述衬底基板,所述层间绝缘层靠近所述第一源漏金属层;
所述第一栅极金属层包括沿第二方向延伸的第二电源信号线,所述第二电源信号线与所述第一信号线通过贯穿所述层间绝缘层的过孔电连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅极金属层还包括与所述第二电源信号线电连接的第一块状电极,所述第二电源信号线通过所述第一块状电极与所述第一信号线电连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述衬底基板与所述第一栅极金属层之间层叠设置的第二栅极金属层和第一栅绝缘层,所述第二栅极金属层靠近所述衬底基板,所述第一栅绝缘层靠近所述第一栅极金属层;
所述第二栅极金属层包括第二电极,所述第二电极与所述第一块状电极一一对应且相互交叠构成存储电容。
5.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号线在所述衬底基板的正投影与所述第二信号线在所述衬底基板的正投影至少部分重合。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电源信号线的宽度小于所述第一信号线的宽度。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号线和所述第二信号线通过贯穿所述第一绝缘层的多个过孔电连接。
8.如权利要求4-7任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述第二源漏金属层上方的阳极层,以及位于所述第二源漏金属层与所述阳极层之间的第一平坦化层;所述第一源漏金属层还包括漏极,所述第二源漏金属层还包括搭接部,所述漏极通过所述搭接部与所述阳极层电连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述搭接部具有第一凹槽,所述第一凹槽的底部与所述漏极电连接;
所述阳极层具有第一连接部,所述第一连接部通过贯穿所述第一平坦化层的过孔延伸至所述第一凹槽内与所述搭接部电连接。
10.如权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述第二栅极金属层与所述衬底基板之间的有源层,所述漏极具有第二凹槽,所述第二凹槽的底部与所述有源层电连接;
所述搭接部还具有第二连接部,所述第二连接部延伸至所述第二凹槽内与所述漏极电连接。
11.如权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层包括位于所述第一源漏金属层面向所述第二源漏金属层一侧的钝化层,以及位于所述钝化层与所述第二源漏金属层之间的第二平坦化层。
12.如权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述有源层与所述衬底基板之间的缓冲层,以及位于所述有源层与所述第二栅极金属层之间的第二栅绝缘层。
13.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-12任一项所述的阵列基板。
14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求13所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的