[实用新型]一种垂直结构的金黄光LED芯片及其护眼灯有效
| 申请号： | 201920922301.8 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN210073904U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 张伯文 | 申请（专利权）人： | 武汉瑞宸腾飞投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/36;H01L33/30;F21V3/06;F21Y115/10 |
| 代理公司： | 42255 武汉瀛卓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 朱诗恩 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 天然水晶 发光层 射出 矿石 本实用新型 红光发光层 黄光发光层 衬底 蒸发 半导体材料层 水分子吸收 灯罩 垂直结构 蓝光危害 芯片结构 周围空气 电极层 负离子 红光 黄光 蓝光 雾状 吸水 眩光 发热 柔和 节能 | ||
1.一种垂直结构的金黄光LED芯片，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上设置有p型半导体材料层；
发光层，所述发光层上设置有n型半导体材料层，所述发光层包括并排相连地设置在所述P型半导体材料层上的红光发光层、黄光发光层；
电极层，所述电极层包括设置在所述衬底底部的第一电极层、设置在所述n型半导体材料层上的第二电极层，所述第一电极层上设置有第一电极，所述第二电极层上设置有第二电极。
2.根据权利要求1所述的垂直结构的金黄光LED芯片，其特征在于，所述衬底的材料为GaAs。
3.根据权利要求1所述的垂直结构的金黄光LED芯片，其特征在于，所述红光发光层由峰值波长为600～670nm的(AlxIn1-x)0.5Ga0.5P材料制成，其中，x的摩尔分数为0.1～0.3；所述黄光发光层由峰值波长为550～590nm的(AlyIn1-y)0.5Ga0.5P材料制成，其中，y的摩尔分数为0.3～0.5。
4.根据权利要求1所述的垂直结构的金黄光LED芯片，其特征在于，所述p型半导体材料层为p型AlInGaP层，所述n型半导体材料层为n型AlInGaP层。
5.根据权利要求1所述的垂直结构的金黄光LED芯片，其特征在于，所述红光发光层与所述黄光发光层相接触处且靠近所述n型半导体材料层设置有凹槽。
6.一种LED护眼灯，其特征在于，包括灯座，所述灯座上设置有灯罩，所述灯罩内设置有权利要求1至5任一所述的垂直结构的金黄光LED芯片。
7.根据权利要求6所述的LED护眼灯，其特征在于，所述灯罩由天然水晶岩矿石制成。
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