[实用新型]封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳

权利要求书

1.封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳，其特征在于，包括陶瓷基座，金属环框，金属盖板，用作导电电路的下埋层金属化层，用作导电电路的上埋层金属化层，表面金属化层，8个引脚，8个内通孔金属化柱，8个外凹槽金属化层；

所述陶瓷基座为顶敞口盒状，所述陶瓷基座的内盒底面上设置有用于放置MOS管芯片的凹坑；

所述下埋层金属化层、上埋层金属化层、表面金属化层、8个内通孔金属化柱、8个外凹槽金属化层以及8个引脚均为在所述陶瓷基座的烧结成瓷过程中预埋烧结连接在所述陶瓷基座中；

所述下埋层金属化层预埋于所述凹坑的下方且作为所述凹坑的坑底壁，所述下埋层金属化层包括下导电图形一与下导电图形二，所述下导电图形一与下导电图形二相互间隔以电绝缘，所述下导电图形一用于其上焊接放置一个MOS管芯片且与相应的MOS管芯片的下表面上的电极点电连接，所述下导电图形二用于其上焊接放置另一个MOS管芯片且与相应的MOS管芯片的下表面上的电极点电连接；

所述上埋层金属化层预埋于所述陶瓷基座的且除所述凹坑之外剩余的内盒底面上，所述上埋层金属化层包括上导电图形一、上导电图形二、上导电图形三以及上导电图形四，所述上导电图形一、上导电图形二、上导电图形三以及上导电图形四分别用于与相应的MOS管芯片的上表面上的电极点电连接，所述上导电图形一、上导电图形二、上导电图形三以及上导电图形四相互间隔以电绝缘；

所述表面金属化层预埋于所述陶瓷基座的敞口盒沿面上；

8个引脚均为陶瓷金属化层，8个引脚均设置于所述陶瓷基座的外盒底面上以用于使得所述陶瓷基座上的8个引脚的布置样式与SOP8塑封器件的8个引脚的布置样式相同可以原位替换SOP8塑封器件，8个引脚相互间隔以电绝缘；

8个内通孔金属化柱分别预埋在所述陶瓷基座中的8个通孔中，8个内通孔金属化柱与8个通孔一一对应，8个外凹槽金属化层分别设置在所述陶瓷基座的外侧壁面上的8个半圆横截面凹槽中，8个外凹槽金属化层与8个半圆横截面凹槽一一对应；

所述下导电图形一与下导电图形二均分别与2个引脚电连接；

所述上导电图形一、上导电图形二、上导电图形三以及上导电图形四均分别与剩余4个引脚一一对应电连接；

与所述下导电图形一电连接的2个引脚以及与下导电图形二电连接的2个引脚位于所述陶瓷基座的外盒底面的A侧边处，与上导电图形一、上导电图形二、上导电图形三以及上导电图形四电连接的剩余4个引脚位于所述陶瓷基座的外盒底面的B侧边处，A 侧边与B侧边是相互平行的两条侧边；

与所述下导电图形一电连接的2个引脚中的每一个引脚均通过其所对应的1个内通孔金属化柱以及1个外凹槽金属化层与所述下导电图形一的下表面电连接；

与所述下导电图形二电连接的2个引脚中的每一个引脚均通过其所对应的1个内通孔金属化柱以及1个外凹槽金属化层与所述下导电图形二的下表面电连接；

与所述上导电图形一电连接的1个引脚通过其所对应的1个内通孔金属化柱以及1个外凹槽金属化层与所述上导电图形一的下表面电连接；

与所述上导电图形二电连接的1个引脚通过其所对应的1个内通孔金属化柱以及1个外凹槽金属化层与所述上导电图形二的下表面电连接；

与所述上导电图形三电连接的1个引脚通过其所对应的1个内通孔金属化柱以及1个外凹槽金属化层与所述上导电图形三的下表面电连接；

与所述上导电图形四电连接的1个引脚通过其所对应的1个内通孔金属化柱以及1个外凹槽金属化层与所述上导电图形四的下表面电连接；

所述内通孔金属化柱的顶端与相应的下埋层金属化层或上埋层金属化层的下表面为在所述陶瓷基座的烧结成瓷过程中烧结成的一体连接，外凹槽金属化层的顶端与相应的下埋层金属化层或上埋层金属化层的下表面为在所述陶瓷基座的烧结成瓷过程中烧结成的一体连接，所述内通孔金属化柱的底端与相应的引脚的上表面为在所述陶瓷基座的烧结成瓷过程中烧结成的一体连接，所述外凹槽金属化层的底端与相应的引脚的上表面为在所述陶瓷基座的烧结成瓷过程中烧结成的一体连接；

所述表面金属化层上设置有第一镀镍层，所述表面金属化层上的第一镀镍层上钎焊连接设置有金属环框，所述金属盖板用于封盖所述金属环框的敞口以构成密封的陶瓷外壳；

所述金属环框、下埋层金属化层、上埋层金属化层、8个引脚以及8个外凹槽金属化层的全部外露金属表面上设置有从内到外依次布置的第一镀镍层、第二镀镍层、镀金层。