[实用新型]一种射频芯片封装结构

说明书

本实用新型提供了一种射频芯片封装结构，包括射频芯片，所述射频芯片上开设有通孔，所述通孔的内侧壁上镀有金属膜或者所述通孔内填充有金属填充料，所述射频芯片的背面设置有覆盖在所述通孔对应口部上的金属接触面板，所述射频芯片的正面设置有覆盖在所述通孔对应口部上的衬垫，所述金属接触面板上连接有引线框架。通过在射频芯片上开设通孔，且在该通孔的内侧壁上镀有金属膜或者在该通孔内填充金属填充料，并以此连接衬垫和金属接触面板，结构简单，集盛电阻和电感相对较小，对FR信号影响相对较小且成本相对较低。2、本实用新型提供的射频芯片封装结构具有可实现性强、空间利用率高、RF性能优异和制造成本低等优点。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体集成电路的封装结构，尤其是一种射频芯片封装结构。

背景技术

射频芯片对封装有着严格的要求，需要满足输入/输出阻抗、端口之间的隔离度等多项性能指标。

常见的射频芯片封装结构主要有两种，第一种结构为半导体键合线结构，如图1所示，其通过半导体键合线1（bonding wire）将射频芯片2（RF Chip）和引线框架3（Leadframe）键合实现封装，这种封装结构结构相对简单，但由于各半导体键合线1在打线过程中不可避免会出现长度、弧高等差异，在高频时会改变端口的阻抗特性，影响噪声性能，且半导体键合线1之间的RF信号由于存在空间耦合等特点，又会影响RF端口之间的隔离度，即半导体键合线1会影响RF信号；第二种结构为倒装芯片结构，如图2所示，其通过在射频芯片2上的晶体（wafer）表面固定连接或一体连接铜柱或金柱4（bump），并在铜柱或金柱4上设置凸点41，封装时，将射频芯片2倒扣在引线框架3上实现封装，这种封装结构有效避免采用半导体键合线1而对RF信号带来的影响，但由于射频芯片2的表面和引线框架3的基岛之间的距离通常相对较小，使得射频芯片2的RF器件或模块容易受到引线框架3产生的噪音的影响，比如VCO 、高频电感的隔离度变差，而如果增加射频芯片2的表面和引线框架3的基岛之间的距离，则会极大增加铜柱或金柱4的成本。

有鉴于此，本申请人对射频芯片封装结构进行了深入的研究，遂有本案产生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供了一种结构简单、对FR信号影响相对较小且成本相对较低的射频芯片封装结构。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种射频芯片封装结构，包括射频芯片，所述射频芯片上开设有通孔，所述通孔的内侧壁上镀有金属膜或者所述通孔内填充有金属填充料，所述射频芯片的背面设置有覆盖在所述通孔对应口部上的金属接触面板，所述射频芯片的正面设置有覆盖在所述通孔对应口部上的衬垫，所述金属接触面板上连接有引线框架。

作为本实用新型的一种改进，所述引线框架和所述金属接触面板之间通过导电胶相互连接。

作为本实用新型的一种改进，还包括塑封件，所述射频芯片、所述金属接触面板、所述衬垫和所述引线框架都位于所述塑封件内。

作为本实用新型的一种改进，所述通孔，所述金属接触面板、所述引线框架和所述衬垫分别有多个，且各所述通孔、所述金属接触面板、所述引线框架和所述衬垫一一对应设置。

作为本实用新型的一种改进，所述金属接触面板为通过蚀刻的方式形成的面板。

作为本实用新型的一种改进，所述衬垫为带状衬垫。

采用上述技术方案，本实用新型具有以下有益效果：

1、通过在射频芯片上开设通孔，且在该通孔的内侧壁上镀有金属膜或者在该通孔内填充金属填充料，并以此连接衬垫和金属接触面板，结构简单，集盛电阻和电感相对较小，对FR信号影响相对较小且成本相对较低。

2、本实用新型提供的射频芯片封装结构具有可实现性强、空间利用率高、RF性能优异和制造成本低等优点。