[实用新型]一种高气密性封装方式的阵列耦合器

权利要求书

1.一种高气密性封装方式的阵列耦合器，包括端截面分别为U型的槽钢管A和与槽钢管A相配合能形成一个管体的槽钢管B，所述槽钢管B盖设在槽钢管A上形成一个管体，所述管体包含内腔，所述管体一端和另一端分别具有与内腔连通的开口A和开口B，其特征在于：该高气密性封装方式的阵列耦合器还包括堵头A、堵头B、黑胶层A、耦合器本体、光纤孔A、光纤孔B、黑胶层B和704硅橡胶，开口A上设置用于封堵开口A的与开口A形状相匹配的堵头A，开口B上设置用于封堵开口B的与开口B形状相匹配的堵头B，所述堵头A、槽钢管A、槽钢管B和堵头B之间具有缝隙，所述缝隙内填充黑胶层A，所述黑胶层A为填充在缝隙后通过105摄氏度—115摄氏度高温烘烤25—35分钟后的黑胶层A，所述堵头A、槽钢管A、槽钢管B、堵头B和黑胶层A组合围城一个密封腔，堵头A上设置与密封腔连通的光纤孔A，堵头B上设置与密封腔连通的光纤孔B，耦合器本体固定设置在密封腔内，耦合器本体包含一端光纤和另一端光纤，耦合器本体的一端光纤通过光纤孔A探至内腔外部，耦合器本体的另一端光纤通过光纤孔B探至内腔外部，所述光纤孔A与一端光纤之间具有环形缝隙A，所述光纤孔B与另一端光纤之间具有环形缝隙B，所述环形缝隙A和环形缝隙B包含靠近密封腔的那一环形部分和远离密封腔的另一环形部分，所述靠近密封腔的那一环形部分上填充黑胶层B，所述黑胶层B为填充在靠近密封腔的那一环形部分上并通过83摄氏度—87摄氏度高温烘烤25—35分钟后的黑胶层B，所述远离密封腔的另一环形部分上注入704硅橡胶。

2.根据权利要求1所述的高气密性封装方式的阵列耦合器，其特征在于：所述堵头A、槽钢管A、槽钢管B和堵头B之间具有的缝隙包含堵头A与槽钢管A之间的缝隙、堵头A与槽钢管B之间的缝隙、堵头B与槽钢管A之间的缝隙和堵头B与槽钢管B之间的缝隙。

3.根据权利要求1所述的高气密性封装方式的阵列耦合器，其特征在于：所述黑胶层A为填充在缝隙后通过110摄氏度高温烘烤30分钟后的黑胶层A。

4.根据权利要求1所述的高气密性封装方式的阵列耦合器，其特征在于：所述黑胶层B为填充在靠近密封腔的那一环形部分上并通过85摄氏度高温烘烤30分钟后的黑胶层B。