[实用新型]一种导电膜

说明书

本实用新型涉及一种导电膜，导电膜具有标准开尔芬保护环结构，由绝缘分离的、具有同心的、表面完整的圆形导电膜和表面完整的环形导电膜组成，圆形导电膜与一个贯穿孔中的导电材料相连，环形导电膜与另一个贯穿孔中的导电材料相连。绝缘基板表面的导电膜与绝缘基板的贯穿孔中导电材料连通，在外接引线时，可确保圆形导电膜和环形导电膜完整性，提高单电极电容位移传感器电场均匀性，从而改善电容位移传感器的性能。

技术领域

本实用新型涉及一种导电膜的技术领域，尤其涉及一种导电膜。

背景技术

电容位移传感器具有动态特性好、分辨力高、结构简单等优点非常适合高精度、非接触动态测量，已被广泛用于位移、压力等领域的高精度测量。在电容位移传感器中，电容(C) 与电极之间距离(d)之间的关系可表示为：

C＝ε_rε₀A/d (1)

其中，ε_r为电极之间介质相对介电常数，ε₀为真空介电常数，A为极板间覆盖面积，d为极板间距。极板间距离变化，引起电容传感器电容变化，从而实现位移、压力等测量。上述方程(1)成立的条件是电容位移传感器极板间电场均匀分布。由于边缘电场存在会导致电容位移传感器两极板之间电场分布不均匀，而是随着空间变化，导致电容位移传感器信号扭曲。为了尽量减小电场边缘效应，提高电场分布的均匀度，电容传感器探头中一般采用文献[1]Journal Applied Physics 1975，46，2486-2490[W.C.Heerens,F.C.Vermeulen,Capacitance of kelvin guard-ring capacitors with modified edge geometry,J.Appl. Phys.46(1975)2486-2490]中报道的开尔芬保护环(Kelvin GuardRing)结构的电极(见图5a)即由工作电极1和保护环组成。图5b中工作电极2一般为被检测对象，其工作面积远大于工作电极1。在运行过程中，工作电极1和保护环电势保持一致，大幅减小电场边缘效应。

另外，电容传感器极板厚度越大，电场边缘效应越大。为了减小电容传感器极板厚度，人们亦以绝缘基板上的开尔芬保护环结构的薄导电膜替代开尔芬环结构的较厚的金属板作为电极，减小电场边缘效应。然而，在采用开尔芬环结构的导电膜时，为了给保护环中间工作电极连接引线，导电膜往往采用文献[3]Nature Nanotechnology 2011,6,496-500所报道非标准的开尔芬保护环结构(见图6)，这会引入额外的电场边缘效应，损害电容位移传感器性能。

因此，寻找一种在绝缘基板上制作具有标准开尔芬保护环结构的导电膜作为电极，是减少电容位移传感器电场边缘效应，提高电场分布均匀性，改善电容传感器性能的关键。

实用新型内容

本实用新型的目的是：避免上述电容位移传感器探头以绝缘基板上非标准的开尔芬保护结构的导电膜为电极时，存在较大的电场边缘效应问题，提出了一种在绝缘基板表面具有标准开尔芬保护环结构的导电膜，从而减小电容位移传感器以导电膜为电极时的电场边缘效应，提供了电容位移传感器性能。

本实用新型采用的技术方案是：一种导电膜，导电膜具有标准开尔芬保护环结构，由绝缘分离的、具有同心的、表面完整的圆形导电膜和表面完整的环形导电膜组成；所述标准开尔芬保护环结构的导电膜2由绝缘分离的具有同心的表面完整的圆形导电膜201和表面完整的环形导电膜202组成；所述表面完整的圆形导电膜201与一个填充有导电材料4的贯穿孔 301相连；所述表面完整的环形导电膜202与另一个填充有导电材料4的贯穿孔302相连。

由此，本实用新型的有益效果是：在所述绝缘基板引入填充导电材料的贯穿孔，并且导电材料与绝缘基板表面完好并具有标准开尔芬环结构导电膜接触，这在确保标准开尔芬环导电膜与外部引线连通的同时，可减小边缘电场效应，改善电容位移传感器性能。

附图说明