[实用新型]一种金属有机化合物化学气相沉积机台

说明书

本实用新型提供的一种金属有机化合物化学气相沉积机台，所述压环设置在所述底座的上表面，且位于所述基板的外侧，其中，所述压环具有冷却通道、冷却液入口和冷却液出口，所述冷却通道绕所述压环的轴线设置在所述压环内，所述冷却液入口和冷却液出口均与所述冷却通道连通，并匹配设置在所述卡孔中，本实用新型将压环设置为具有冷却通道的结构，使得其可以降低防尘环的温度，减少了TiN在防尘环上的沉积，还降低了边缘环的温度对基板边缘位置上TiN薄膜沉积的速率，从而提高了沉积在晶圆边缘位置上的TiN薄膜的均匀性，降低TiN沉积物剥离对产品良率的影响。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，特别涉及一种金属有机化合物化学气相沉积机台。

背景技术

目前，金属有机化合化学气相沉积(Metal-organic Chemical VaporDeposition，简称MOCVD)工艺是一种常见的用于形成第III族元素和第V族元素化合物的工艺。MOCVD工艺通常是在一个具有较高温度的MOCVD反应腔内进行，所述MOCVD反应腔内通入有包含第III族元素的第一反应气体和包含有第V族元素的第二反应气体，且所述MOCVD反应腔内的基座上具有基片，所述第一反应气体和第二反应气体在较高温度的基片表面进行反应，在所述基片表面形成第III族元素和第V族元素化合物薄膜。

但是，利用MOCVD工艺在所述基板表面形成薄膜(例如TiN薄膜)的同时，还会在反应腔的部分部件(例如防尘环)上形成残余沉积物(例如TiN沉积物)。这些残余沉积物会在反应腔内产生杂质，并可能从附着处剥落下来，最终可能落在待处理的基片上，使得所述基片表面生成的薄膜产生缺陷，同时，在防尘环上沉积TiN时，还出现了沉积在基板边缘位置上的TiN薄膜均匀性较差的问题，影响最终形成的半导体器件的电学性能，影响了半导体器件的良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种金属有机化合物化学气相沉积机台，以提高沉积在晶圆边缘位置上的TiN薄膜的均匀性，并降低TiN沉积物剥离对产品良率的影响。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种金属有机化合物化学气相沉积机台，包括：

反应腔室；

底座，所述底座设置在反应腔室内，其用于放置基板，所述底座的上表面设置有至少两个卡孔；

边缘环，所述边缘环包括压环，所述压环设置在所述底座的上表面，且位于所述基板的外侧，其中，所述压环具有冷却通道、冷却液入口和冷却液出口，所述冷却通道绕所述压环的轴线设置在所述压环内，所述冷却液入口和冷却液出口均与所述冷却通道连通，并匹配设置在所述卡孔中；以及

冷却液通过冷却液入口流经冷却通道，再从冷却液出口流出。

可选的，还包括：

第一管道，所述第一管道与所述冷却液入口连接；

第二管道，所述第二管道与所述冷却液出口连接；以及

冷却液通过第一管道进入冷却液入口，流经冷却通道，再从冷却液出口进入第二管道。

可选的，所述边缘环还包括防尘环，所述防尘环套设在所述底座的外侧，且所述防尘环的一个端面延伸并覆盖部分所述底座的上表面，所述压环位于所述防尘环与底座之间，所述防尘环位于所述基板的外侧。

进一步的，所述压环具有冷却通道、冷却液入口和冷却液出口的数量均为1个，所述冷却通道为环形双向导通通道，所述冷却液入口、压环的中心和冷却液出口呈钝角设置，所述底座上设置有两个卡孔，冷却液通过第一管道进入冷却液入口后从两个方向流入所述冷却通道，最后从所述冷却液出口流出。