[实用新型]图形化掩膜层、存储器

说明书

一种图形化掩膜层及一种存储器，所述图形化掩膜层包括：若干阵列分布的子掩膜图形；位于所述子掩膜图形侧壁表面的侧墙。上述图形化掩膜层的形成难度较低。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种图形化掩膜层以及一种存储器。

背景技术

存储器包括多个阵列排列的存储单元，每个存储单元均形成于一有源区(AA)上。现有技术的存储器的形成过程中，通常需要对衬底进行刻蚀，以形成阵列排列的有源区。

随着存储器存储容量增大，存储密度增大，有源区的线宽逐渐缩小。在衬底表面形成多个阵列排列的掩膜图形作为有源区的掩膜时，位于阵列边缘区域上的部分掩膜图形可能会不完整，以此为掩膜刻蚀衬底形成的有源区容易发生倒塌。为了避免上述问题，通常需要在形成掩膜图形后，将边缘区域的不完整掩膜图形去除。请参考图1，有源区掩膜图形的局部示意图。在去除边缘的掩膜图形101时，通过一曲线102分割边缘区域和中间区域。由于相邻掩膜图形101之间的间距较小，使得所述曲线102的弧形弧度α较小。由于在光刻过程中，较小尺寸图形均容易产生较大的光学邻近效应(OPE)，在制作光罩的过程中，需要对光刻图形进行光学邻近效应校正(OPC)。而该曲线102的弧度较小，使得OPC校正的难度提高。一旦光罩图形校正不足，容易导致原本完整的有源区101被刻蚀。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种图形化掩膜层，一种存储器，降低图形化掩膜层及存储器的形成难度。

为了解决上述问题，本实用新型的技术方案还提供一种图形化掩膜层，包括：若干阵列分布的子掩膜图形；位于所述子掩膜图形侧壁表面的侧墙。

可选的，所述子掩膜图形平行排列。

可选的，各子掩膜图形的形状、尺寸均相同。

可选的，所述子掩膜图形所在区域外围的边缘区域的轮廓至少包括部分曲线。

可选的，所述曲线的弧度大于一预设值。

为了解决上述问题，本实用新型的技术方案还包括一种存储器，包括：衬底，所述衬底内形成有多个阵列排列的有源区；所述有源区以上述任一项所述的图形化掩膜层为掩膜对所述衬底刻蚀而成。

本实用新型的图形化掩膜层的形成方法首先对掩膜材料层进行图形化，形成子掩膜图形，所述子掩膜图形的尺寸小于待形成的有源区的尺寸，从而增大了各子掩膜图形之间的间距，降低了去除边缘区域的有缺陷的子掩膜图形的难度，从而使得图形化掩膜层更易形成。

附图说明

图1为在去除边缘的掩膜图形时，边缘区域和中间区域的分割示意图；

图2至图7为本实用新型一具体实施方式的图形化掩膜层的形成过程的结构示意图；

图8为本实用新型一具体实施方式的存储器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的图形化掩膜层及其形成方法、存储器及其形成方法的具体实施方式做详细说明。

请参考图2至图7，为本实用新型一具体实施方式的图形化掩膜层的形成过程的结构示意图。

请参考图2，形成掩膜材料层201。

该具体实施方式中，在所述衬底200表面形成所述掩膜材料层201。所述掩膜材料层201包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、光刻胶等单层或多层掩膜材料层。

所述衬底200可以为半导体衬底，包括单晶硅衬底、单晶锗衬底、锗硅衬底或绝缘体上硅衬底等。图2中，仅示出了衬底200及掩膜材料层201的局部区域。