[实用新型]一种用于运放的新型共模电平偏移电路有效
申请号: | 201920860211.0 | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN209930214U | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 王博;刘昱;王小松;胡海;王明华;秦梦莹;箫延彬;陈思超 | 申请(专利权)人: | 上海夷易半导体有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 11340 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人: | 范光晔 |
地址: | 201200 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流偏置电路 本实用新型 自适应 主运 输入运算放大器 共模电平 偏移电路 输入偏置电流 压控电流源 差分信号 电路结构 工作电平 共模电压 恒定的 放能 共模 运放 输出 | ||
1.一种用于运放的新型共模电平偏移电路,其特征在于,包括依次电连接的三输入运算放大器和自适应电流偏置电路;其中,
三输入运算放大器,用于控制所述自适应电流偏置电路的输出始终保持着在预先设定的后续主运放的差分输入对的工作电平;
自适应电流偏置电路,用于对输入差分信号取共模,控制N/PMOS压控电流源的切换,以使得在宽的共模输入范围内主运放能正常工作。
2.根据权利要求1所述的用于运放的新型共模电平偏移电路,其特征在于,所述三输入运算放大器包括电流源I1-I2、mos管M13-M20;其中,
电流源I1的一端与电流源I2的一端,且均与电源电压Vdd相接;电流源I1的另一端与mos管M13的漏极、所述自适应电流偏置电路相连;mos管M13的栅极与mos管M16的漏极、mos管M18的源极、mos管M19的源极相连;mos管M13的源极与mos管M14的源极、mos管M15的源极相连,且均接地;mos管M14的栅极与mos管M15的栅极、mos管M17的漏极、mos管M20的源极相连;mos管M14的漏极与mos管M16的源极相连;mos管M15的漏极与mos管M17的源极相连;mos管M16的栅极与mos管M17的栅极相连,且接入偏置电压V2;mos管M18的栅极与所述自适应电流偏置电路相连;mos管M18的源极与mos管M19的源极、mos管M20的源极、电流源I2的另一端相连;mos管M19的栅极与所述自适应电流偏置电路相连。
3.根据权利要求1所述的用于运放的新型共模电平偏移电路,其特征在于,所述自适应电流偏置电路包括电流源I3、电阻R1-R6、mos管M1-M12以及比较器;其中,
电阻R1的一端与正输入端、电阻R3的一端、电阻R5的一端相连;电阻R1的另一端与mos管M1的源极、电阻R2的一端、比较器的负输入端相连;电阻R2的另一端与负输入端、电阻R4的一端、电阻R6的一端相连;电阻R3的另一端与mos管M2的源极相连;电阻R4的另一端与mos管M3的源极相连;电阻R5的另一端与mos管M4的源极相连;电阻R6的另一端与mos管M5的源极相连;mos管M1的栅极与mos管M1的漏极、电流源I3的一端、mos管M2的栅极、mos管M3的栅极相连;mos管M2的漏极与mos管M4的源极、mos管M7的漏极、mos管M10的漏极相连;mos管M3的漏极与mos管M5的源极、mos管M6的漏极、mos管M9的漏极相连;mos管M4的栅极与比较器的输出端,mos管M5的栅极相连;mos管M6的源极、mos管M7的源极以及mos管M8的源极均与电源电压Vdd相连;mos管M6的栅极与mos管M7的栅极、mos管M8的栅极、mos管M8的漏极相连,且均接入电流源I4;mos管M9的栅极与mos管M10的栅极相连,且均接入偏置电压V1;mos管M9的源极与mos管M11的漏极、所述三输入运算放大器相连;mos管M10的漏极与mos管M12的漏极、所述三输入运算放大器相连;mos管M11的栅极与mos管M12的栅极相连,且均接入所述三输入运算放大器中;mos管M11的源极与mos管M12的源极相连,且均接地。
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