[实用新型]一种扬声器的超薄磁路结构

说明书

本实用新型涉及一种扬声器的超薄磁路结构，包括U型轭体和由下往上设置于U型轭体内的主磁体、华司和亚磁体，所述华司顶部设有沉台，所述亚磁体固定于华司顶部的沉台内。所述沉台包括中间凹陷部和两侧限位部，所述亚磁体位于沉台的中间凹陷部内，亚磁体由沉台的两侧限位部限位，本实用新型扬声器的超薄磁路结构通过在华司顶部设置沉台，亚磁体固定于华司顶部的沉台内，压缩磁路空间、降低磁路结构高度，同时提高亚磁体的同心度，提升磁饱和度，优化防磁性能。

技术领域

本实用新型涉及扬声器的磁路结构技术领域，尤其涉及一种扬声器的超薄磁路结构。

背景技术

如图1所示，现有扬声器的磁路结构包括U型轭体1和由下往上设置于U型轭体1内的主磁体2、华司3和亚磁体4，华司又称导磁板，华司在外磁式扬声器中的作用是导磁，它必须是含碳量很低的低碳钢以降低磁阻，它通常与T铁、磁体构成磁路，华司与T铁的芯柱形成磁间隙，提供音圈运动所需要的均匀磁场。它的厚度和音圈的绕宽的配合决定了扬声器的低音失真的大小。没有华司就没有均匀磁场，扬声器难以有较高的灵敏度和较低的失真。华司的厚度过大，磁路空间过大，扬声器高度过大；并且亚磁体与现有的华司的安装方式易产生偏移，降低磁通量，影响磁路结构的工作效率，防磁性能不佳。

实用新型内容

本实用新型针对上述现有技术的不足而提供一种扬声器的超薄磁路结构，解决了通过华司沉台压缩磁路空间、降低磁路结构高度，同时提高亚磁体的同心度，提升磁饱和度的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

本实用新型提供一种扬声器的超薄磁路结构，包括U型轭体和由下往上设置于U型轭体内的主磁体、华司和亚磁体，所述华司顶部设有沉台，所述亚磁体固定于华司顶部的沉台内。

进一步地，所述沉台包括中间凹陷部和两侧限位部，所述亚磁体位于沉台的中间凹陷部内，亚磁体由沉台的两侧限位部限位。

进一步地，所述沉台限位部包括由内斜边和外直边形成的凸台结构。

进一步地，所述沉台限位部包括由内斜边、外直边、顶部水平边形成的凸台结构。

进一步地，所述沉台限位部包括由内弧边、外直边和顶部水平边形成的凸台结构。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型扬声器的超薄磁路结构通过在华司顶部设置沉台，亚磁体固定于华司顶部的沉台内，压缩磁路空间、降低磁路结构高度，同时提高亚磁体的同心度，提升磁饱和度，优化防磁性能。

附图说明

图1是现有的扬声器磁路结构的示意图；

图2是本实用新型扬声器的超薄磁路结构的第一实施例示意图；

图3是本实用新型扬声器的超薄磁路结构的第二实施例示意图；

图4是本实用新型扬声器的超薄磁路结构的第三实施例示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1：

如图2所示，本实施例公开了一种扬声器的超薄磁路结构，包括U型轭体1和由下往上设置于U型轭体1内的主磁体2、华司3和亚磁体4，所述华司3顶部设有沉台30，所述亚磁体4固定于华司3顶部的沉台30内。

本实施例中，所述沉台30包括中间凹陷部31和两侧限位部32，所述亚磁体4位于沉台30的中间凹陷部31内，亚磁体4由沉台30的两侧限位部32限位。