[实用新型]一种嵌入式复合型传感器有效

专利信息
申请号: 201920843204.X 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN210108416U 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 杨友林;陈勤华;罗麒郦 申请(专利权)人: 杨友林;陈勤华;罗麒郦
主分类号: G01D21/02 分类号: G01D21/02;G05B19/042
代理公司: 上海海贝律师事务所 31301 代理人: 王文锋
地址: 200940 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 嵌入式 复合型 传感器
【权利要求书】:

1.一种嵌入式复合型传感器,其特征在于,包括:电压、电流、温度传感器,MCU单片机,功率半导体芯片;所述电压、电流、温度传感器一端嵌入功率半导体芯片中,另一端,电压感应探头紧贴于功率半导体芯片输入端,电流传感器套入功率半导体芯片输入端,温度传感器紧靠功率半导体芯片;所述电压、电流、温度传感器和所述MCU单片机复合设置于一块安装基片上,所述安装基片设置在功率半导体芯片上,所述功率半导体芯片安装于功率半导体芯片散热基板上;所述温度传感获得功率半导体芯片的工作温度,所述电压、电流传感器获得动态与静态的工作信息;

电路包括电压传感、电流传感、温度传感和MCU单片机四部分电路,全部复合于安装基片之上形成一个完整复合体;电压传感、电流传感、温度传感同步向MCU单片机输出从功率半导体芯片所感应到的电压信号、电流信号、温度信号;MCU单片机通过所设定程序分析判定,对内发出工作控制指令,对外传输即时工作电流、电压、温度的信息;

电压传感电路部分包括虚拟电容(C1)、电容(C2)、电阻(R1),其中,虚拟电容(C1)由电压感应探头紧贴于功率半导体器件输入端形成,电容(C2)、电阻(R1)是MOSFET管Q1的G脚快速释放,快速测得动态电压,在电源(VCC)作用下MOSFET管Q1线性放大,在电阻(R2)处输出一个电压信号(V1)到MCU单片机(U1);

电流传感电路部分包括电流传感器(L1)、电阻(R3)、电阻(R4),其中,环形电流传感器(L1)套入功率半导体器件输入端,当通过工作电流时在环形电流传感器(L1)上感应出一个相比例电压,通过电阻(R3)、电阻(R4)分压,输出电流信号(V2)到MCU单片机(U1),输出(VP2)直接触发短路保护电路;

温度传感电路部分直接用温度传感器(U2)接近功率半导体芯片,输出温度信号(V3)到MCU单片机(U1);

MCU单片机(U1)按设定程序对信号进行复合运算处理;

所述MCU单片机设有外部数据通信接口,通过有线或无线的数据传输方式,接收外部控制信号,反馈内部数据至外部设备,实现双向通信功能。

2.根据权利要求1所述的一种嵌入式复合型传感器,其特征在于,包括:所述安装基片为微型陶瓷覆铜板(DBC)。

3.根据权利要求1所述的一种嵌入式复合型传感器,其特征在于,包括:所述电流传感器为环形电流传感器,具有过流保护功能。

4.根据权利要求1所述的一种嵌入式复合型传感器,其特征在于,包括:MCU单片机预留信号输入接口,以便外部信息信号输入。

5.根据权利要求4所述的一种嵌入式复合型传感器,其特征在于,包括:所述外部信息信号包括压力、振动、红外温度和视觉信号。

6.根据权利要求1所述的一种嵌入式复合型传感器,其特征在于,包括:所述复合运算处理包括故障检测、温度补偿。

7.根据权利要求1所述的一种嵌入式复合型传感器,其特征在于,包括:所述MCU单片机能产生一个个体所具备的唯一代码,以便于故障检修定位。

8.根据权利要求1所述的一种嵌入式复合型传感器,其特征在于,包括:所述MCU单片机内部具有自校零、自标定、自校正功能。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的一种嵌入式复合型传感器,其特征在于,包括:用一组电源供电,输出多个复合工作状态端采集的输出信号。

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