[实用新型]一种源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管

权利要求书

1.一种源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，包括源区、漏区、沟道、栅氧化层及双栅极；栅极包括靠近源区、漏区的栅极两端和栅极中间，栅极两端金属的功函数低于栅极中间金属的功函数；所述沟道为石墨烯纳米管，石墨烯纳米管位于源区和漏区之间，源区包括源极N型重掺杂区和源扩展区，源扩展区靠近石墨烯纳米管，源极N型重掺杂区远离石墨烯纳米管，漏区包括漏极N型重掺杂区和漏扩展区，漏扩展区靠近石墨烯纳米管，漏极N型重掺杂区远离石墨烯纳米管，源扩展区与漏扩展区均为N型轻掺杂；栅氧化层位于石墨烯纳米管两侧，双栅极位于栅氧化层外侧。

2.根据权利要求1所述的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，所述石墨烯纳米管的手性指数为13。

3.根据权利要求1所述的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，所述双栅极包括关于沟道对称的两个子栅极，两个子栅极由同种电介质材料填充。

4.根据权利要求1所述的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，源扩展区的长度与漏扩展区的长度相等。

5.根据权利要求1所述的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，漏区、源区及栅极的长度均为20nm。

6.根据权利要求1所述的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，源极N型重掺杂区、源扩展区、漏极N型重掺杂区和漏扩展区在沟道方向上的厚度均相等。

7.根据权利要求1所述的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，源极N型重掺杂区及漏极N型重掺杂区的掺杂浓度为9×10^-4dopant/atom，源扩展区及漏扩展区的掺杂浓度为2.5×10^-5dopant/atom。

8.根据权利要求1所述的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，栅极氧化层介质的介电常数ε= 3.8。

9.根据权利要求1所述的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，栅极氧化层的厚度为2nm。

10.根据权利要求5所述的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于，栅极两端金属的功函数为4.33，栅极中间金属的功函数为4.65。