[实用新型]高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构有效
| 申请号： | 201920834409.1 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN209843663U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 殷炯 | 申请（专利权）人： | 无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/495;H01L23/367 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 殷红梅;屠志力 |
| 地址： | 214035 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属框架 控制芯片 凹陷部 金属散热片 金属线 本实用新型 塑封料 焊垫 组合封装结构 倒装焊接 散热效果 电性能 高功率 突出部 漏极 凸件 背面 外围 输出 | ||
1.一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，包括：金属框架(1)、MOS芯片(4)、金属散热片(6)、控制芯片(8)、金属线(9)、塑封料(10)；
所述金属框架(1)设有一凹陷部(101)；金属框架(1)上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；
在金属框架(1)背面的凹陷部(101)中倒装焊接有MOS芯片(4)；MOS芯片(4)与金属框架(1)上的相应焊垫通过凸件(5)连接；在MOS芯片(4)的背面贴装有金属散热片(6)；金属散热片(6)与MOS芯片(4)背面的漏极相连；
在金属框架(1)凹陷部所对应的正面突出部安装有控制芯片(8)；控制芯片(8)通过金属线(9)与金属框架(1)上相应焊垫连接；
在金属框架正面、金属框架背面的凹陷部内、金属线外围设有塑封料(10)；
在金属散热片(6)背面，以及金属框架(1)背面需要进行输出连接的位置设有焊锡(11)。
2.如权利要求1所述的高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，
凸件(5)是铜柱，或者焊球。
3.如权利要求1所述的高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，
MOS芯片(4)底部至少设有一处引导槽(3)。
4.如权利要求1所述的高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，
在金属框架凹陷部(101)中设有通孔(2)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所，未经无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920834409.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便于扣丝机切割的辅助装置
- 下一篇：一种引线框架的蚀刻设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
