[实用新型]一种紧凑型风冷IGBT功率模组有效

专利信息
申请号: 201920830896.4 申请日: 2019-06-04
公开(公告)号: CN209709929U 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 刘波祖;董会娜;许可 申请(专利权)人: 山东艾诺仪器有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H05K7/20
代理公司: 11582 北京久维律师事务所 代理人: 邢江峰<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 250104 山东省济南*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 本实用新型 散热器 强弱电分离 热管散热器 输入电源线 出线通道 电容模块 叠层母排 方便维修 功率模组 互不干涉 节省空间 前后移动 散热模块 散热效果 输出接线 输出母排 输入母排 正对设置 中间带槽 自动报警 温控器 下护板 右护板 散热 风机 方孔 风冷 滑轨 模组
【说明书】:

实用新型提供了一种紧凑型风冷IGBT功率模组,本实用新型通过在箱体内设置电容模块、散热模块、IGBT模块、叠层母排,结合各模块的特性,合理分布节省空间;使用中间带槽的热管散热器,加快了IGBT模块的散热速度,通过温控器能够实时掌握模块温度,高温自动报警;通过设置散热器以及风机,并使之正对设置,增强了散热效果;设计不同的出线通道,输入母排通过右护板上方的方孔连接输入电源线,输出母排通过下护板连接输出接线,实现强弱电分离,互不干涉;在箱体底部设置有滑轨,方便前后移动模组,方便维修。

技术领域

本实用新型涉及电气控制技术领域,特别是一种紧凑型风冷IGBT功率模组。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块是由IGBT与FWD通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。

目前IGBT功率模组模块化设计是普遍采用的形式,而模块小型化设计是一种比较先进的设计思路,在小型化的同时需要满足强弱电分离、散热强及方便维修等技术难题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种紧凑型风冷IGBT功率模组,旨在解决现有技术中IGBT模块小型化设计中存在的散热、强弱电分离以及维修不便的问题,实现在IGBT模块小型化设计中增强散热性、强弱电分离、提高维修便捷性。

为达到上述技术目的,本实用新型提供了一种紧凑型风冷IGBT功率模组,所述IGBT功率模组包括:

电容模块、散热模块、IGBT模块、叠层母排;

所述电容模块、散热模块以及IGBT模块之间通过叠层母排连接,所述叠层母排的输入母排连接电源线,输出母排通过连接输出接线;

所述散热模块固定于IGBT模块下方,为IGBT功率模组散热,且该模块为风冷散热模块。

优选地,所述散热模块包括散热器、散热器支架、风机和风机支架,散热器固定于散热器支架上,风机支架固定于散热器支架上,风机固定于风机支架上;所述IGBT模块固定于散热器上方。

优选地,所述散热器为热管散热器。

优选地,所述输出母排包括输出母排A、输出母排B、输出母排C和输出母排D,输出母排A和输出母排B之间采用绝缘板进行绝缘隔离;所述输出母排C和输出母排D引出模组。

优选地,所述IGBT功率模组还包括半封闭式箱体,在半封闭式箱体的下方安装有导轨A和导轨B,导轨B固定在箱体上,导轨B和导轨A为滑动连接形式,且导轨B与导轨A之间使用凹槽的形式相互啮合。

优选地,所述IGBT功率模组还包括风道围板,所述风道围板与散热器正对设置。

实用新型内容中提供的效果仅仅是实施例的效果,而不是实用新型所有的全部效果,上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果:

与现有技术相比,本实用新型通过在箱体内设置电容模块、散热模块、IGBT模块、叠层母排,结合各模块的特性,合理分布节省空间;使用中间带槽的热管散热器,加快了IGBT模块的散热速度,通过温控器能够实时掌握模块温度,高温自动报警;通过设置散热器以及风机,并使之正对设置,增强了散热效果;设计不同的出线通道,输入母排通过右护板上方的方孔连接输入电源线,输出母排通过下护板连接输出接线,实现强弱电分离,互不干涉;在箱体底部设置有滑轨,方便前后移动模组,方便维修。

附图说明

图1为本实用新型实施例中所提供的一种紧凑型风冷IGBT功率模组立体示意图;

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