[实用新型]大电流半导体功率器件

权利要求书

1.一种大电流半导体功率器件，其特征在于，所述大电流半导体功率器件包括：

引线框架（100），所述引线框架（100）包括载片基岛区（110）和引脚组件；所述引脚组件包括第一引脚（120），所述第一引脚（120）包括连为一体的键合部（131）和引出部（132）；所述第一引脚（120）的引出部（132）有多个；所述第一引脚（120）还包括连接部（133），第一引脚（120）的引出部（132）两两通过所述连接部（133）相连；

半导体芯片（200），所述半导体芯片（200）设于所述载片基岛区（110）中，所述半导体芯片（200）通过键合件（300）与引脚组件连接；

和封装树脂（400）。

2.如权利要求1所述的大电流半导体功率器件，其特征在于，每个所述第一引脚（120）引出部（132）的宽度范围为0.5mm~3mm，长度范围为0.65mm~10mm；第一引脚（120）的相邻两个引出部（132）之间的距离范围为0.5mm~3mm。

3.如权利要求1所述的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述引脚组件还包括第二引脚（140），所述第二引脚（140）包括连为一体的键合部（131）和引出部（132）；且所述第二引脚（140）与所述第一引脚（120）由所述封装树脂（400）隔离。

4.如权利要求3所述的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述封装树脂（400）将半导体芯片（200）、键合件（300）以及引脚组件盖封在引线框架（100）上，且所述第一引脚（120）和第二引脚（140）的引出部（132）从所述封装树脂（400）中外露。

5.如权利要求3所述的大电流半导体功率器件，其特征在于，第二引脚（140）引出部（132）的宽度范围为0.5mm~3mm，长度范围为0.65mm~10mm。

6.如权利要求3所述的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述半导体芯片（200）包括相对的第一主面和第二主面（210），半导体芯片（200）的第一主面贴在引线框架（100）的载片基岛区（110）上，第二主面（210）包括第一电极和第二电极，所述第一电极通过键合件（300）与第一引脚（120）的键合部（131）连接，第二电极与第二引脚（140）的键合部（131）连接。

7.如权利要求6所述的大电流半导体功率器件，其特征在于，半导体芯片（200）包括MOSFET芯片，MOSFET芯片的第一主面贴在引线框架（100）的载片基岛区（110）上，所述MOSFET芯片第二主面（210）设有栅极和源极，所述MOSFET芯片的源极为半导体芯片（200）的第一电极，MOSFET芯片的栅极为半导体芯片（200）的第二电极。

8.如权利要求6所述的大电流半导体功率器件，其特征在于，半导体芯片（200）包括IGBT芯片和FRD芯片，IGBT芯片的第一主面和FRD芯片的第一主面均贴在引线框架（100）的载片基岛区（110）上；

所述IGBT芯片的第二主面（210）设有栅极和发射极，所述GBT芯片的发射极为半导体芯片（200）的第一电极，所述GBT芯片的栅极为半导体芯片（200）的第二电极；

所述FRD芯片的第一主面为阴极，所述FRD芯片第二主面（210）为阳极，所述FRD芯片的阳极为半导体芯片（200）的第一电极。

9.如权利要求1所述的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述连接部（133）连接第一引脚（120）相邻的两个引出部（132）中间，多个所述第一引脚（120）的引出部（132）呈梳齿状并列排布。

10.如权利要求1所述的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述引线框架的厚度范围为0.3 mm ~1.3mm。