[实用新型]一种浮结型肖特基二极管

权利要求书

1.一种浮结型肖特基二极管，其特征在于，包括：

衬底层(1)；

外延层(2)，位于所述衬底层(1)上层；

浮结区(3)，位于所述外延层(2)中间的矩形槽内；

绝缘型多晶硅层(4)，位于所述浮结区(3)上层；

沟槽(5)，位于所述绝缘型多晶硅层(4)上层；

肖特基接触的阴极(6)，位于所述衬底层(1)下层；

肖特基接触的阳极(7)，覆盖所述外延层(2)、所述绝缘型多晶硅层(4)和所述沟槽(5)。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述外延层(2)材料为N^-离子掺杂的4H-SiC，厚度为5μm～15μm。

3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述矩形槽深度为0.5μm～1.5μm，宽度为1μm～3μm。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述绝缘型多晶硅层(4)厚度为0.8μm～1μm，宽度为0.5μm～1.5μm。

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述肖特基接触的阴极(6)的材料为Ti/Ni/Ag金属。

6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述肖特基接触的阳极(7)的材料为Ti/Al金属。