[实用新型]一种浮结型肖特基势垒二极管有效
| 申请号： | 201920806491.7 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN210723043U | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;吴勇;何艳静;韩超;梁家铖 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 浮结型 肖特基势垒二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种浮结型肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：
衬底层(1)；
外延层(2)，位于所述衬底层(1)上层；
浮结层(4)，位于所述外延层(2)上层的两侧；
绝缘型多晶硅层(5)，位于所述浮结层(4)上层；
沟槽(6)，位于所述绝缘型多晶硅层(5)上层；
肖特基接触阴极(7)，位于所述衬底层(1)下层；
肖特基接触阳极(8)，覆盖所述外延层(2)、所述绝缘型多晶硅层(5)和所述沟槽(6)。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述外延层(2)材料为N-离子掺杂的4H-SiC，厚度为5μm～15μm。
3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述浮结层(4)材料为金属Ti，厚度为0.5μm～2μm。
4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述绝缘型多晶硅层(5)厚度为4μm～6μm，宽度为0.4μm～0.6μm。
5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述沟槽(6)的横截面积小于所述绝缘型多晶硅层(5)的横截面积。
6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述肖特基接触阴极(7)的材料为Al/Ti合金，厚度为300nm～500nm。
7.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述肖特基接触阴极(7)的材料为金属Ni，厚度为400nm～600nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学芜湖研究院，未经西安电子科技大学芜湖研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920806491.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种点支式玻璃幕墙
- 下一篇：一种超软弱土地基浅表层处理后承载力试验装置
- 同类专利
- 专利分类
