[实用新型]一种平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置

说明书

本实用新型公开了一种平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置，包括两列平行布置的磁铁保持架，各列所述磁铁保持架上沿长度方向均匀布置有多块永磁体，所述永磁体的端面形状为矩形。本实用新型具有结构简单，有利于保证产生的等离子均匀和沉膜均匀等优点。

技术领域

本实用新型涉及平板式PECVD设备，尤其涉及一种平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置。

背景技术

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是指等离子体增强化学气相沉积法，利用微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，可使化学反应在较低的温度下进行，在基片上沉积出所期望的薄膜。平板式PECVD设备所用的离子源为线性电子回旋共振离子源——ECR离子源，其长度远大于其宽度，它采用微波激发工艺气体使其电离，内部有高强度磁场约束，使电离产生的电子在电磁场作用下做螺旋运动，增加了与气体的碰撞几率，进一步提高气体的离化率，从而使等离子放电更容易，产生的等离子体密度更高。由于是线性离子源，要保证线性长度上等离子体的均匀性，其内部磁场强度的均匀性是关键影响因素之一。

如附图1和2所示，常规的线性ECR源的内部磁场由多个沿直线方向均匀排列的永磁体产生，永磁体采用圆形磁棒，磁场方向为轴向南北极。圆形端面本身及相邻两圆形端面之间均存在磁场不均匀的问题。以相邻两块磁铁圆心的连线的中垂线为例，即便将两块磁铁之间的间隙尽可能缩小，但是中垂线上各点的磁场强度也并不一致。这样会造成等离子体不均匀，从而影响沉膜均匀性。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、有利于保证产生的等离子体均匀的平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置，包括两列平行布置的磁铁保持架，各列所述磁铁保持架上沿长度方向均匀布置有多块永磁体，所述永磁体的端面形状为矩形。

作为上述技术方案的进一步改进：

所述永磁体的磁场强度大于350毫特斯拉。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型公开的平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置，采用矩形永磁体阵列产生磁场，呈直线排列，矩形端面内磁场均匀，相邻两块永磁体之间的间隙可以做的很小(具体根据结构强度确定)，磁场最强区域可以做到更大，因此整条直线上磁场非常均匀，从而保证产生的等离子体均匀。

附图说明

图1是常规的平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置的结构示意图。

图2是图1的A向视图。

图3是本实用新型平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置的结构示意图。

图4是图3的B向视图。

图中各标号表示：1、磁铁保持架；2、永磁体。

具体实施方式

以下结合说明书附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

图3至图4示出了本实用新型平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置的一种实施例，实施例的平板式PECVD设备线性ECR源用高均匀性磁场装置，包括两列平行布置的磁铁保持架1，各列磁铁保持架1上沿长度方向均匀布置有多块永磁体2，永磁体2的端面形状为矩形。