[实用新型]芯片封装结构有效
| 申请号: | 201920789104.3 | 申请日: | 2019-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN209658158U | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
| 发明(设计)人: | 吕娇;陈彦亨;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56 |
| 代理公司: | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 史治法<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 上表面 基底 芯片封装结构 定位凸块 定位槽 重新布线层 芯片键合 芯片 本实用新型 塑封层 背面 基底上表面 芯片电连接 电连接 中芯片 移位 插设 焊球 键合 塑封 凸块 | ||
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
芯片,所述芯片的背面设有定位槽;
基底,所述基底的上表面上设有定位凸块;所述芯片键合于所述基底的上表面上,且所述定位凸块插设于所述定位槽内;
塑封层,位于所述基底的上表面上,且将所述芯片塑封;
重新布线层,位于所述塑封层的上表面,且与所述芯片电连接;
焊球凸块,位于所述重新布线层的上表面,且与所述重新布线层电连接。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于:所述芯片的正面形成有连接焊垫,所述连接焊垫与所述芯片内部的器件结构电连接;所述连接焊垫与所述重新布线层电连接;所述定位槽位于所述芯片的背面。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于:所述塑封层的上表面与所述芯片的正面相平齐。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于:所述芯片封装结构包括多个所述芯片,多个所述芯片于所述基底的上表面上间隔排布;各所述芯片的背面均形成有多个所述定位槽,所述基底的上表面设有多个所述定位凸块,所述定位凸块与所述定位槽一一对应设置。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于:所述定位槽的深度大于等于所述定位凸块的高度。
6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于:所述定位凸块包括:
塑封材料层,位于所述基底的上表面上;
种子层,位于所述塑封材料层的上表面。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片封装结构,其特征在于:所述重新布线层至少包括:
第一介质层;
金属叠层结构,位于所述第一介质层内,所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞,所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间,以将相邻的所述金属线层电连接;
所述芯片与所述金属叠层结构相连接,所述焊球凸块与所述金属叠层结构相连接。
8.根据权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于:所述芯片封装结构还包括:
牺牲层,位于所述基底的上表面;
第二介质层,位于所述牺牲层的上表面;
所述定位凸块及所述塑封层均位于所述第二介质层的上表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920789104.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





