[实用新型]用于基板处理腔室的工艺配件及处理腔室

说明书

提供了用于基板处理腔室的工艺配件及处理腔室。所述工艺配件包括边缘环、滑环、可调整调节环、以及致动机构。所述边缘环具有第一环部件，所述第一环部件与相对于所述第一环部件可移动的第二环部件相接，在所述第一环部件和所述第二环部件之间形成间隙。所述滑环定位在所述边缘环的下方。所述可调整调节环定位在所述滑环的下方。所述致动机构与所述可调整调节环的下表面相接，并且被配置为致动所述可调整调节环从而使得所述第一环部件与所述第二环部件之间的间隙改变。在一个或多个示例中，滑环包括基质和涂层，所述基质包含导电材料，并且所述涂层包含电绝缘材料。

技术领域

本文所描述的实施例总的来说涉及基板处理装置，并且更具体地涉及用于基板处理装置的改进的工艺配件。

背景技术

随着半导体技术节点伴随减小大小的器件几何形状、基板边缘临界尺寸而进步，均匀性要求变得更为严苛并影响管芯良率。商用等离子体反应器包括多个可调旋钮以用于控制跨基板的工艺均匀性，诸如例如温度、气流、 RF功率等。通常，在蚀刻工艺中，硅基板在被静电夹持在静电卡盘上的同时被蚀刻。

在处理期间，安放在基板支撑件上的基板可通常在连续的或交替的工艺中经受将材料沉积于基板上和将材料的部分从基板移除或蚀刻的工艺。跨基板的表面具有均匀的沉积和蚀刻速率通常是有益的。然而，跨基板的表面往往存在工艺非均匀性，并且工艺非均匀性在基板的周边或边缘处可能是显著的。在周边处的这些非均匀性可以归因于电场终止影响并且通常被称作边缘效应。在沉积或蚀刻期间，提供本文所讨论和所述的工艺配件来有利地影响基板周边或边缘处的均匀性。等离子体鞘可根据边缘环的几何形状而在基板边缘处弯曲，并因此离子在垂直于等离子体鞘的方向上加速。离子可因等离子体鞘中的弯曲而聚焦在基板边缘处或在基板边缘处被偏转。

因此，存在对用于基板处理装置的改进的工艺配件的持续的需求。

实用新型内容

本文描述的实施例总的来说涉及基板处理装置。更为具体地，提供了用于处理基板的工艺配件、处理腔室和方法。在一个或多个实施例中，工艺配件包括用于基板处理腔室的工艺配件，所述工艺配件包括边缘环、滑环、可调整调节环、以及致动机构。边缘环包括第一环部件以及第二环部件。所述第一环部件与第二环部件相接(interfaced)，使得所述第二环部件相对于所述第一环部件是可移动的，在所述第一环部件和所述第二环部件之间形成间隙。所述第二环部件具有上表面以及下表面。所述滑环定位在所述边缘环的下方。所述滑环具有上表面以及下表面，并且所述滑环的上表面与所述第二环部件的下表面接触。所述可调整调节环定位在所述滑环的下方。所述可调整调节环具有上表面以及下表面，并且所述可调整调节环的上表面与所述滑环的下表面接触。所述致动机构与所述可调整调节环的下表面相接。所述致动机构被配置为致动所述可调整调节环，使得所述第一环部件与所述第二环部件之间的间隙改变。在一个或多个示例中，所述滑环包括基质和涂层，所述基质包含一种或多种导电材料(例如铝)，并且所述涂层包含一种或多种电绝缘材料(例如碳化硅)。

在其他的实施例中，处理腔室可包括：基板支撑构件，所述基板支撑构件被配置为支撑基板；和所述工艺配件，所述工艺配件被所述基板支撑构件支撑。所述基板支撑构件可包括基部、由所述基部支撑的冷却板、和/或定位在所述冷却板的上表面上的静电卡盘。

在一些实施例中，用于处理基板的方法可包括：将所述基板定位在设置于如上所述的具有所述工艺配件的处理腔室中的所述基板支撑构件上。所述方法进一步包括：在所述基板上方形成等离子体，以及通过致动与所述部件相接的所述可调整调节环来调整所述边缘环的所述第二环部件的高度从而改变所述基板的边缘处的离子的方向。间隙设置在所述可调整调节环的下部对准耦合件与所述第二环的上部对准耦合件之间。方法还包括：通过移动所述第二环部件来调整所述间隙的大小，从而改变所述可调整调节环与所述第二环部件之间的电容耦合。

附图说明