[实用新型]集成无源器件IPD管芯有效
| 申请号: | 201920780908.7 | 申请日: | 2018-08-15 |
| 公开(公告)号: | CN210200731U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
| 发明(设计)人: | 野间崇;秀行猪爪;和央冈田 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/498 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张丹 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成 无源 器件 ipd 管芯 | ||
1.一种集成无源器件IPD管芯,包括:
具有背面和正面的衬底,所述衬底具有磨削到小于初始的衬底的厚度的四分之三的厚度;
绝缘体材料层,所述绝缘体材料层设置在所述衬底的正面上;
无源器件,所述无源器件包括电感器、电阻器和电容器中的至少一个,所述无源器件被所述绝缘体材料层完全包围,
所述无源器件具有设置在暴露端子和另一端子之间的器件结构;和
贯穿衬底通孔TSV,所述贯穿衬底通孔从所述衬底的背面朝所述衬底的正面表面延伸到所述绝缘体材料层中的绝缘体材料腔中,所述绝缘体材料腔暴露由所述绝缘体材料层完全包围的无源器件的端子,所述TSV限定通向由设置在所述衬底的正面上的绝缘体材料层完全包围的无源器件的暴露端子的互连通路。
2.根据权利要求1所述的IPD管芯,其中所述TSV是渐缩TSV,所述渐缩TSV具有渐缩壁,所述渐缩壁从较宽的表面开口向较窄的TSV底部倾斜。
3.根据权利要求2所述的IPD管芯,还包括:铜层,所述铜层设置在所述衬底的所述背面上以及沿着所述渐缩壁并在所述TSV底部上设置在所述TSV中,所述铜层限定对嵌入在所述绝缘体材料中的所述无源器件的端子的电连接。
4.如权利要求3所述的IPD管芯,还包括:
阻焊层;和,
晶圆凸块,所述晶圆凸块与所述铜层接触。
5.根据权利要求1所述的IPD管芯,其中所述器件结构包括以下中的至少一个:
电感器的感应导线或线结构,
电阻器的电阻材料垫,和
电容器的电容器间隙材料垫。
6.根据权利要求1所述的IPD管芯,其中所述TSV是干法蚀刻的。
7.根据权利要求1所述的IPD管芯,其中所述IPD管芯使用导电环氧树脂或使用晶圆凸块焊料耦接到包括在板上的导电垫。
8.一种集成无源器件IPD管芯,包括:
至少一个无源部件,所述至少一个无源部件完全嵌入在设置在衬底的正面上的绝缘体材料层中;
贯穿衬底通孔TSV,从所述衬底的背面朝所述衬底的正面延伸;以及
铜层,所述铜层设置在所述衬底的背面上以及所述TSV中,
所述铜层限定穿过所述TSV的对完全嵌入在所述绝缘体材料中的所述至少一个无源部件的端子的电连接。
9.根据权利要求8所述的IPD管芯,其中所述衬底具有小于所述衬底的初始厚度的四分之三的厚度。
10.根据权利要求8所述的IPD管芯,其中所述IPD管芯使用导电环氧树脂或使用晶圆凸块焊料耦接到包括在板上的导电垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





