[实用新型]一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素有效
| 申请号： | 201920775273.1 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN210469539U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 吴宪岭;葛光 | 申请（专利权）人： | 上海砺芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/378 | 分类号： | H04N5/378;H04N5/357 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 李丹 |
| 地址： | 中国（上海）自由贸易试验*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背照式 电荷 相关 采样 全局 快门 图像传感器 像素 | ||
【权利要求书】：
1.一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，其特征在于，包括：
用于感测光信号的光电二极管、用于暂时存储光电二极管中产生电荷的电荷存储单元、用于同步电荷存储单元中存储的电荷的数量的改变量的辅助电荷存储单元以及浮置扩散区；
所述光电二极管与电荷存储单元的一端连接，辅助电荷存储单元与电荷存储单元的另一端连接；所述浮置扩散区与辅助电荷存储单元连接；
所述辅助电荷存储单元和浮置扩散区之间设置有用于控制电荷从辅助电荷存储单元往浮置扩散区转移的第一传输晶体管、所述电荷存储单元和浮置扩散区之间设置有用于控制电荷从电荷存储单元往浮置扩散区转移的第二传输晶体管，所述光电二极管和电荷存储单元之间设置有用于控制电荷从光电二极管往电荷存储单元转移的第三传输晶体管。
2.根据权利要求1所述的背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，其特征在于，所述图像传感器像素还包括用于复位浮置扩散区的复位晶体管和用于读出浮置扩散区电压的信号放大电路。
3.根据权利要求1所述的背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，其特征在于，所述图像传感器像素还包括像素电源VDD以及位于光电二极管PD1和像素电源VDD之间用于控制电荷从光电二极管PD1往像素电源VDD转移的传输晶体管。
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