[实用新型]一种Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片

权利要求书

1.一种Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，包括输入级电路、第一放大电路、第二放大电路、输出级电路，所述第一放大电路和第二放大电路并联后，左端接输入级电路的输出端，右端接输出级电路的输入端，所述输入级电路的输入端接射频信号输入端，输出级电路的输出端为射频信号输出端；

所述第一放大电路包括依次连接的输入匹配网络、第一稳定网络、场效应管Q1、第一匹配网络、第二稳定网络、场效应管Q2、第二匹配网络，还包括第三稳定网络、第四稳定网络、场效应管Q3、场效应管Q4、第三匹配网络、输出匹配网络，所述第三稳定网络与场效应管Q3连接，第四稳定网络与场效应管Q4连接，第三匹配网络与输出匹配网络连接，所述第三稳定网络的输入端连接第二匹配网络的右上端，第四稳定网络的输入端连接第二匹配网络的右下端，场效应管Q3、场效应管Q4的漏极分别连接第三匹配网络的左上端和左下端，输出匹配网络的输出端接输出级电路的输入端；

所述第一稳定网络、第一匹配网络、第二稳定网络、第二匹配网络、第三稳定网络、第四稳定网络、输出匹配网络的输入端分别设有第一偏置电路、第一漏极电路、第二偏置电路、第二漏极电路、第三偏置电路、第四偏置电路、第三漏极电路；

所述第二放大电路与第一放大电路的结构、元器件参数、功能均相同，所述第一放大电路、第二放大电路关于射频信号输入端、射频信号输出端上下对称。

2.根据权利要求1所述的一种Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述输入级电路由依次串联连接的电容C0、微带线M0构成，所述电容C0的左端接外电路的输出端，微带线M0的右端接输入匹配网络的输入端。

3.根据权利要求1所述的一种Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述输入匹配网络包括依次串联连接的微带线M1、电容C1、微带线M2、微带线M3，所述微带线M2与微带线M3之间设有电容C2，所述电容C2的一端接在微带线M2与微带线M3之间，另一端接地。

4.根据权利要求1所述的一种Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述第一稳定网络、第二稳定网络、第三稳定网络、第四稳定网络的电路拓扑结构相同，元器件参数不同；所述第二稳定网络、第三稳定网络、第四稳定网络的电路拓扑结构相同，元器件参数均相同；所述第一稳定网络包括并联连接的电容C5、电阻R4、电容C6；所述第二稳定网络、第三稳定网络、第四稳定网络均由并联连接的电容C13、电阻R9、电容C14构成。

5.根据权利要求1所述的一种Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述第一匹配网络包括依次串联连接的微带线M6、电容C9、微带线M7、电容C10，所述电容C10远离微带线M7的一端接地；所述第二匹配网络包括依次串联连接的微带线M10、电容C18、电容C19，电容C17，所述电容C17的一端连接在微带线M10与电容C18之间，另一端接地，所述电容C18、电容C19之间竖向设有微带线M11、微带线M12；所述第三匹配网络包括依次串联连接的电容C28、微带线M15、电容C29，所述电容C28的左端和电容C29的下端均接地，所述电容C28、微带线M15之间竖向设有微带线13、微带线M14。

6.根据权利要求1所述的一种Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述第一偏置电路、第二偏置电路、第三偏置电路和第四偏置电路的电路拓扑结构相同，元器件参数相同；所述第一偏置电路、第二偏置电路、第三偏置电路和第四偏置电路均包括依次串联连接的电阻R1、电感L1、电阻R2、电阻R3、电容C4，所述电感L1、电阻R2之间设有电容C3，所述电容C3的左端和电容C4的右端均接地。

7.根据权利要求1所述的一种Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述第一漏极电路包括依次串联连接的电容C7、电阻R5、电容C8，所述电容C7、电阻R5之间竖向设有微带线M4、微带线M5，所述电容C7的左端和电容C8的右端均接地；所述第二漏极电路、第三漏极电路与第一漏极电路的电路拓扑结构相同，元器件参数不同。

8.根据权利要求1所述的一种Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述输出匹配网络包括依次串联连接的微带线M18、电容C32、微带线M19；所述输出级电路由一段微带线M20构成。