[实用新型]一种X波段高性能耐大功率输入的单刀双掷开关芯片

说明书

本实用新型公开了一种X波段高性能耐大功率输入的单刀双掷开关芯片，包括第一电路和第二电路，所述第一电路、第二电路的输入端均和射频输入端RFIN相连，第一电路、第二电路的输出端分别连接射频输出端RFOUT1和RFOUT2；所述第二电路与第一电路的电路拓扑结构相同、元器件参数相同。本实用新型频率范围覆盖8‑12GHz，用于信号传输通路选择，广泛应用于雷达、通信、仪器仪表等领域，该芯片为裸片封装，输入/输出端口匹配阻抗为50Ω；输入输出用两根键合线(直径25um金丝)；芯片有通孔连接正反两面，芯片背面既是直流地也是交流地，保证芯片背面与系统地之间保持良好的射频接地连接。

技术领域

本实用新型涉及无线通信技术领域，具体的涉及一种X波段高性能耐大功率输入的单刀双掷开关芯片。

背景技术

自麦克斯韦提出电磁理论以来，人们就不断拓展电磁频谱的应用。二战期间，厘米波技术，也就是我们统称的微波技术得到了迅速发展，在制导、雷达、导航、电子战、通信以及众多的民用系统中得到了广泛的应用。随着微波频谱的日益拥挤，加之精确武器的发展需求，促使人们开拓新的频谱资源，毫米波正是在这样的背景下越来越受到重视。根据频率划分，毫米波一般指的是波长介于1mm～10mm的电磁波，随着无线通信的发展，射频开关得到了广泛的应用，如雷达/基站信号收发系统、测试仪表仪器。在此前提下，人们对于射频开关提出了越来越高的要求，如超宽带、低插损声、高隔离度、多通道和小型化等。

单刀双掷开关(SP2T，SinglePoleDoubleThrow)是用作射频信号通路选择的器件，广泛应用于通信领域接收、发射开关、频段选择或天线分集开关；因此，耐大功率、高性能的射频开关，对于提高系统性能起到了关键性的作用。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供一种X波段高性能耐大功率输入的单刀双掷开关芯片，目的在满足在耐大功率应用场景下能保持高性能。

本实用新型采用下述的技术方案：

一种X波段高性能耐大功率输入的单刀双掷开关芯片，包括第一电路和第二电路，所述第一电路、第二电路的输入端均和射频输入端RFIN相连，第一电路、第二电路的输出端分别连接射频输出端RFOUT1和RFOUT2；

所述第一电路包括依次连接的微带线TL1、场效应管M1、场效应管M2、微带线TL2、微带线TL3，所述微带线TL2和微带线TL3之间设有场效应管M3，微带线TL3右端设有场效应管M5，所述场效应管M3、场效应管M5的源极分别设有场效应管M4、场效应管M6；

所述场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、场效应管M5、场效应管M6的栅极均设有电阻R；

所述第二电路与第一电路的电路拓扑结构相同、元器件参数相同。

优选的，所述场效应管M1、场效应管M2的栅极均通过电阻R接VC1端；场效应管M3、场效应管M4、场效应管M5、场效应管M6的栅极均通过电阻R接VC2 端；所述场效应管M4和场效应管M6的源极均接地。

优选的，所述电阻R的值为4KΩ。

优选的，所述场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、场效应管M5、场效应管M6均采用-15V/0V电平逻辑控制。

优选的，所述射频输入端RFIN、射频输出端RFOUT1、射频输出端RFOUT2、均匹配50欧姆阻抗。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型频率范围覆盖8-12GHz，用于信号传输通路选择，广泛应用于雷达、通信、仪器仪表等领域，该芯片为裸片封装，输入/输出端口匹配阻抗为50 Ω；输入输出用两根键合线(直径25um金丝)；芯片有通孔连接正反两面，芯片背面既是直流地也是交流地，保证芯片背面与系统地之间保持良好的射频接地连接。

附图说明