[实用新型]一种测量真空度的装置有效
| 申请号： | 201920761385.1 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN209992108U | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王广才 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 11644 北京清源汇知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 窦晓慧;冯德魁 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体薄膜材料 电流计 电极 电阻 电源 测量真空 测量 衬底 申请 测量半导体 准线性关系 薄膜材料 测量装置 导线连接 低真空度 电极连接 电源提供 高真空度 正负极 沉积 | ||
【权利要求书】：
1.一种测量真空度的装置，其特征在于，包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；
所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；
所述电极连接所述半导体薄膜材料；
所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。
2.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极包括正极与负极；所述正极与所述负极均与所述半导体薄膜材料粘结。
3.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极采用弹性压针、锡焊、银浆焊接、超声波压焊中的至少一种方式与所述导线连接。
4.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述半导体薄膜材料通过等离子体增强化学气相法、磁控溅射法、真空热蒸发法、电子束蒸发法、旋涂法中的至少一种方式沉积在所述衬底上。
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