[实用新型]一种防电池过放电路有效

专利信息
申请号: 201920760437.3 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN209730867U 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 刘英杰 申请(专利权)人: 潍坊歌尔电子有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 37101 青岛联智专利商标事务所有限公司 代理人: 张翠红<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 261205 山东省潍坊市综合保税区玉清东街以南高*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 负载控制电路 开关控制电路 使能 电子产品 负载切换开关 本实用新型 电池过放电 电池 供电端 控制端 输出端 外部电源供电 小型电子产品 电源输入端 信号输出端 信号控制 运输过程 导通 过放 断开 供电 输出
【说明书】:

实用新型涉及一种防电池过放电路,用于电子产品,电子产品包括负载控制电路和为所述负载控制电路供电的电池,防电池过放电路包括:开关控制电路,其电源输入端Vin1与所述电子产品的外部电源供电端Vin相连,使能控制端EN1与所述负载控制电路的信号输出端Vout1相连;负载切换开关,且供电端Vin2与所述电池相连,使能端EN2与所述开关控制电路的输出端Vout2相连,输出端Vout3与所述负载控制电路的供电端Vin3相连;根据所述开关控制电路的使能控制端EN1的电平,开关控制电路输出的信号控制所述负载切换开关的导通或断开。本实用新型用于解决现有小型电子产品中在运输过程中电池过放的问题。

技术领域

本实用新型涉及电子产品用电池运输技术领域,具体涉及一种防电池过放电路。

背景技术

目前市面上的穿戴设备(例如智能手环、无线耳机等)由于其小型化、便携性、时尚性等特点越来越受到大众的欢迎。由于其小型化,例如对于无线耳机而言,要将其PCB板设计的越小越好,无线耳机的PCB板尺寸相比普通的蓝牙耳机的PCB板尺寸更小,且PCB板上都会承载有充电芯片,该充电芯片管理耳机的充放电操作,在对充电芯片选型时,选用的封装尺寸也是越小越好,然而有些小封装尺寸的充电芯片不具备ship mode(运输模式,是指产品在运输过程中,使产品进入低功耗状态)。而充电芯片一旦没有该ship mode,则产品在运输过程中,电池始终与负载电路相连,导致电池耗电,如果想让产品保证有足够的电路,就只能让负载电路工作在休眠模式或低功耗模式,即使这样电池也是时刻在放电的,因此,仍然无法避免电池耗电的情况,导致电池电量为零,长时间电池没电会损伤电池的使用寿命,且在产品到达用户手中时,无法保证用户即刻测试产品,降低用户体验。

实用新型内容

本实用新型提供一种防电池过放电路,用于解决现有小型电子产品中在运输过程中电池过放的问题。

为了解决上述技术问题,本实用新型提出如下技术方案予以解决:

一种防电池过放电路,用于电子产品,所述电子产品包括负载控制电路和为所述负载控制电路供电的电池,其特征在于,所述防电池过放电路包括:开关控制电路,其电源输入端Vin1与所述电子产品的外部电源供电端Vin相连,使能控制端EN1与所述负载控制电路的信号输出端Vout1相连;负载切换开关,且供电端Vin2与所述电池相连,使能端EN2与所述开关控制电路的输出端Vout2相连,输出端Vout3与所述负载控制电路的供电端Vin3相连;根据所述开关控制电路的使能控制端EN1的电平,所述开关控制电路输出的信号控制所述负载切换开关的导通或断开。

如上所述的防电池过放电路,所述开关控制电路包括:分压电路,其电源输入端Vin4与所述开关控制电路的电源输入端Vin1相连,输出端Vout4与所述开关控制电路的使能控制端EN1相连;低电平导通的开关元件,其使能控制端EN3连接在所述使能控制端EN1和所述分压电路的输出端Vout4之间,输入端Vin5通过上拉电阻与所述电源输入端Vin1相连;其中所述负载切换开关的使能端EN2连接在所述低电平导通的开关元件的输入端Vin5和所述上拉电阻之间;在所述开关控制电路的使能控制端EN1输出低电平时,控制所述负载切换开关断开,而输出高电平时,控制所述负载切换开关导通。

如上所述的防电池过放电路,所述低电平导通的开关元件为PMOS管,所述PMOS管的栅极G连接在所述开关控制电路的使能控制端EN1和所述分压电路的输出端Vout4之间,漏极D连接在所述上拉电阻和所述负载切换开关的使能端EN2之间,源极接S地。

如上所述的防电池过放电路,所述防电池过放电路还包括:二极管D1,其正极与所述信号输出端Vout1相连,负极连接在所述分压电路的输出端Vout4和所述PMOS管的栅极G之间。

如上所述的防电池过放电路,所述防电池过放电路还包括:二极管D2,其正极与所述外部电源供电端Vin相连,负极连接在所述二极管D1的负极和所述PMOS管的栅极G之间。

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