[实用新型]一种IGBT结构有效
| 申请号： | 201920759868.8 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN209747516U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;杨卓;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 导电类型外延层 导电类型 导电类型载流子 本实用新型 导电多晶硅 集电极金属 表面设置 存储层 体区 源区 半导体技术领域 绝缘介质层 集电极区 间隔设置 依次设置 缓冲层 外延层 侧壁 阱区 | ||
1.一种IGBT结构，包括集电极金属（1），所述集电极金属（1）上依次设置有第一导电类型集电极区（2）、第二导电类型缓冲层（3）和第二导电类型外延层（4），所述第二导电类型外延层（4）上间隔设置有沟槽，其特征在于，每个所述沟槽的底部均设置有第一导电类型阱区（5），相邻两个所述沟槽之间的所述第二导电类型的外延层（4）内设置第二导电类型载流子存储层（9），所述第二导电类型载流子存储层（9）的表面设置第一导电类型体区（10），所述第一导电类型体区（10）的表面设置第二导电类型源区（12）和第一导电类型源区（11），所述沟槽的侧壁设置有导电多晶硅（6），所述沟槽的底部、所述导电多晶硅（6）的表面以及所述第二导电类型外延层（4）的表面均设置有绝缘介质层（8），所述绝缘介质层（8）的表面设置发射极金属层（13），所述发射极金属层（13）通过所述绝缘介质层（8）上的通孔与所述第二导电类型源区（12）以及所述第一导电类型源区（11）欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的IGBT结构，其特征在于，每个所述沟槽内设置有两条导电多晶硅（6），且两条导电多晶硅（6）之间设置绝缘介质层（8）。
3.根据权利要求2所述的IGBT结构，其特征在于，位于同一沟槽内的两条导电多晶硅（6）均连接栅极电位。
4.根据权利要求2所述的IGBT结构，其特征在于，位于同一沟槽内的两条导电多晶硅（6）中的一条导电多晶硅（6）连接栅极电位，另一条导电多晶硅（6）连接源极电位。
5.根据权利要求2所述的IGBT结构，其特征在于，位于同一沟槽内的两条导电多晶硅（6）均连接源极电位，与其相邻或间隔的沟槽内的两条导电多晶硅（6）均连接栅极电位。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的IGBT结构，其特征在于，所述导电多晶硅（6）与所述沟槽的侧壁之间设置有栅氧层（7），所述导电多晶硅（6）设置在所述栅氧层（7）的表面。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的IGBT结构，其特征在于，所述第二导电类型载流子存储层（9）的下边界高于所述沟槽的底部。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的IGBT结构，其特征在于，所述第二导电类型载流子存储层（9）内的杂质浓度范围在1e14至1e18之间。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的IGBT结构，其特征在于，所述沟槽的宽度的范围在0.4μm至3μm之间。
10.根据权利要求1至5中任意一项所述的IGBT结构，其特征在于，所述第二导电类型外延层（4）上设置的沟槽间隔均匀，多个所述沟槽之间相互平行。
11.根据权利要求1至5中任意一项所述的IGBT结构，其特征在于，所述第一导电类型包括P型，所述第二导电类型包括N型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡新洁能股份有限公司，未经无锡新洁能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920759868.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微镜头
- 下一篇：一种基于二维半导体材料薄膜晶体管
- 同类专利
- 专利分类
