[实用新型]一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构

权利要求书

1.一种具有抗静电层的 III族氮化物半导体外延结构，包括III族氮化物半导体外延结构前端部分和III族氮化物半导体外延结构后续部分，其特征在于：所述III族氮化物半导体外延结构前端部分和所述III族氮化物半导体外延结构后续部分之间插入有Al_xGa_(1-x)N抗静电层；所述III族氮化物半导体外延结构前端部分含有倒六角锥结构，所述倒六角锥结构形成于所述III族氮化物半导体外延结构前端部分内的穿透位错线位置处，倒六角锥结构由平面以及镶嵌在平面内的倒六角锥状坑组成，穿透位错线和倒六角锥状坑锥底尖端相交；所述Al_xGa_(1-x)N抗静电层形成于所述倒六角锥结构之上并填充所述倒六角锥状坑锥底形成一个平台；所述III族氮化物半导体外延结构后续部分位于所述Al_xGa_(1-x)N抗静电层之上并将所述倒六角锥结构形成的倒六角锥状坑填平；所述Al_xGa_(1-x)N抗静电层在倒六角锥结构的平面、倒六角锥状坑侧壁以及倒六角锥状坑锥底位置具有不同的厚度，所述倒六角锥状坑表面对角宽度为L，所述Al_xGa_(1-x)N抗静电层在所述倒六角锥结构平面的厚度为h1，所述Al_xGa_(1-x)N抗静电层在所述倒六角锥状坑侧壁的厚度为h2，所述Al_xGa_(1-x)N抗静电层在所述倒六角锥状坑锥底宽度为L1，其中2≤h2/h1，50nm≤L≤500nm，0.1≤L1/L≤0.8。

2.根据权利要求1所述的具有抗静电层的 III族氮化物半导体外延结构，其特征在于：所述倒六角锥结构还能通过增设一层倒六角锥结构形成层来形成；所述倒六角锥结构形成的倒六角锥状坑还能通过增设一层倒六角锥结构合并层来填平。

3.根据权利要求1或2所述的具有抗静电层的 III族氮化物半导体外延结构，其特征在于：所述III族氮化物半导体外延结构为III族氮化物的发光二极管外延结构、激光二极管外延结构、光电探测器外延结构、高电子迁移率晶体管外延结构、场效应晶体管外延结构或微波器件外延结构中的一种。

4.根据权利要求1或2所述的具有抗静电层的 III族氮化物半导体外延结构，其特征在于：所述具有抗静电层的 III族氮化物半导体外延结构能包含一层以上所述倒六角锥结构和所述Al_xGa_(1-x)N抗静电层。