[实用新型]基片处理装置

说明书

本实用新型提供一种容易地测量基片温度的基片处理装置，其包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。

技术领域

本实用新型涉及基片处理装置。

背景技术

专利文献1中公开了对于由辊输送装置平流(日语：平流し)输送的基片，通过预加热部和主加热部加热基片的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-66318号公报

实用新型内容

实用新型想要解决的技术问题

本实用新型提供容易地测量基片温度的基片处理装置。

用于解决技术问题的技术方案

本实用新型一个方式的基片处理装置，其包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计，并且能够相对于热处理部拆装。另外，温度测量部包括能够相对于上述热处理部拆装的安装部，该安装部与辐射温度计隔开间隔且具有透射红外线的透射窗。

实用新型效果

根据本实用新型，能够容易地测量基片温度。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理装置的概略结构示意图。

图2是表示实施方式的利用辊输送装置进行基片输送的示意图。

图3是表示实施方式的第二加热单元的概略结构的示意图。

图4是表示实施方式的温度测量装置的概略结构的示意图。

图5是表示实施方式的基片温度测量方法的流程图。

附图标记说明

1 基片处理装置

41 第二加热单元

50 第一热处理部(热处理部)

51 第二热处理部(热处理部)

70 温度测量装置

71 温度测量部

72 数据记录器

73 辐射温度计

73b 透镜

74 安装部

74c 透射窗

75 连结部

76 冷却部

81 第一喷嘴(温度计冷却喷嘴)

82 第二喷嘴(透射窗冷却喷嘴)。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明本实用新型公开的基片处理装置和基片温度测量方法的实施方式。但是，并不限定于以下所示的实施方式中公开的基片处理装置和基片温度测量方法。

＜整体结构＞

参照图1对实施方式的基片处理装置1进行说明。图1是表示实施方式的基片处理装置1的概略结构的示意图。

基片处理装置1包括晶盒站2、第一处理站3、接口站4、第二处理站5和控制装置6。