[实用新型]一种保护籽晶的结构有效

专利信息
申请号: 201920739044.4 申请日: 2019-05-21
公开(公告)号: CN210012923U 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 梁会宁;杨定勇;黄辉;朱庆龙;宋江 申请(专利权)人: 扬州晶樱光电科技有限公司
主分类号: C30B15/36 分类号: C30B15/36
代理公司: 32286 南京常青藤知识产权代理有限公司 代理人: 龚建良
地址: 225600 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 阻尼件 籽晶 模具 隔板 本实用新型 磁流变液 安装腔 螺纹颈 保护结构 处理效率 励磁线圈 螺纹连接 密封焊接 内部安装 内部油缸 上连接件 定位杆 过流孔 活塞杆 活塞片 粘稠度 分隔 缸体 内开 上移 下压 压坏 焊接 密封
【说明书】:

实用新型公开了一种保护籽晶的结构,包括阻尼件和活塞杆,阻尼件顶面的中心位置焊接有螺纹颈,螺纹颈螺纹连接上连接件的底部,阻尼件顶部的外壳内开设有安装腔,安装腔内部安装有定位杆,阻尼件内部的中间位置密封焊接有隔板,隔板将阻尼件内部的上侧分隔为密封的缸体,本实用新型,利用阻尼件内部油缸内的磁流变液通过励磁线圈的控制改变粘稠度以控制磁流变液通过活塞片内部过流孔的速度,改变阻尼件的阻尼,调整保护结构连接的模具上移的速度,控制模具下压籽晶的力,保护籽晶不被模具压坏,同时可以提高籽晶的处理效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域,具体为一种保护籽晶的结构。

背景技术

所谓单晶,即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地、周期性地排列,或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间格子构成,整个晶体中质点在空间的排列为长程有序。单晶整个晶格是连续的,具有重要的工业应用。单晶生长制备方法大致可以分为气相生长、溶液生长、水热生长、熔盐法、熔体法。最常见的技术有提拉法、坩埚下降法、区熔法、定向凝固法等。现籽晶在引晶阶段时,模具下压籽晶容易使籽晶折断或者模具被压出凹痕,影响籽晶的处理效率。为此,本实用新型提出一种保护籽晶的结构用于解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种保护籽晶的结构,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种保护籽晶的结构,包括阻尼件和活塞杆,所述阻尼件顶面的中心位置焊接有螺纹颈,所述螺纹颈螺纹连接上连接件的底部,所述阻尼件顶部的外壳内开设有安装腔,所述安装腔内部安装有定位杆,所述阻尼件内部的中间位置密封焊接有隔板,所述隔板将阻尼件内部的上侧分隔为密封的缸体,所述缸体内部填充有磁流变液,所述缸体内部嵌合安装有活塞片,所述活塞片顶面的中部安装有励磁线圈,所述活塞片底面的中心位置焊接于活塞杆的顶端,所述活塞杆穿过隔板,所述活塞杆的底端连接限位座顶面的中间位置,所述限位座底面的中间位置螺纹连接下连接件的上端。

优选的,所述活塞杆内部在其轴线位置开设的通道内部安装有电源线,所述电源线的一端电性连接励磁线圈的一端,所述电源线的另一端连接装置外部直流电源。

优选的,所述阻尼件内部在隔板下方的两侧对应水平安装有两组弹簧,两组所述弹簧的外端对应安装有两片限位片,两片所述限位片呈圆弧状且与活塞杆的外周面相匹配,两片所述限位片对应与活塞杆的外周面两侧相接触。

优选的,所述活塞片内部的两侧沿径向对应开设有两组过流孔,两组所述过流孔两两为一组。

优选的,所述隔板的中心位置开设有供活塞杆穿过的通孔,所述隔板中部的通孔内安装有油封圈,所述油封圈内侧与活塞杆外周面紧密接触。

优选的,所述安装腔连通螺纹颈,所述定位杆在螺纹颈内部竖直杆体的一侧通过轻质弹簧连接安装腔的侧面。

优选的,所述定位杆在螺纹颈内部的端部水平穿过螺纹颈的侧壁插入上连接件的内部,所述上连接件内侧对应于定位杆的位置开设有与其对应的环形凹槽。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1.利用阻尼件的控制下连接件上移,使模具不会对籽晶产生较大的压力,从而保护籽晶不被模具压出断,同时保护模具不会被籽晶压出凹痕,达到保护籽晶的效果,同时具有保护模具和延长模具使用寿命的作用;

2.利用螺纹连接的阻尼件和上连接件以及限位座和下连接件拆装方便,同时通过定位杆定位,提高二者之间连接的可靠性,便于模具的快速安装,提高籽晶的处理效率;

3.利用阻尼件内部油缸内的磁流变液通过励磁线圈的控制改变粘稠度以控制磁流变液通过活塞片内部过流孔的速度,改变阻尼件的阻尼,调整保护结构连接的模具上移的速度,控制模具下压籽晶的力,保护籽晶不被模具压坏,同时可以提高籽晶的处理效率。

附图说明

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