[实用新型]一种超级联碳化硅结型场效应管有效

专利信息
申请号: 201920724300.2 申请日: 2019-05-20
公开(公告)号: CN209785915U 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 高苗苗 申请(专利权)人: 深圳市冠禹半导体有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L29/80
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518067 广东省深圳市南山区蛇口街道南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 内连接片 引脚 场效应管 散热栅 散热内腔 外连接片 散热段 壳体 结型场效应管 本实用新型 壳体内部 散热结构 有效散热 保证场 电参数 碳化硅 外侧边 外露端 效应管 绝缘 电路 贯穿
【说明书】:

实用新型实施例公开了一种超级联碳化硅结型场效应管,包括绝缘的壳体,在所述壳体外侧边设置有与G极、D极和S极相对应连接的引脚,所述引脚包括从壳体内部引出的内连接片,所述内连接片外露端连接有散热段,所述散热段包括散热内腔和散热栅,所述内连接片穿设在散热内腔内部,所述散热栅连接有外连接片,并且所述外连接片贯穿所述散热栅与所述内连接片连接,本场效应管通过在引脚连接处设置散热结构,让场效应管在处于较高温度时,能及时通过引脚进行有效散热,保证场效应管电参数一致,确保场效应管在电路中的可靠性。

技术领域

本实用新型实施例涉及电子元器件技术领域,具体涉及一种超级联碳化硅结型场效应管。

背景技术

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管,是一种具有放大功能的三端有源器件,其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制,主要有两种类型:结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管,由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管,它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者,结型场效应管有两种结构形式。

但是,在现有的超级联碳化硅结型场效应管在电路中存在以下缺陷:

在转换的期间的超级联碳化硅结型场效应管电路中,所级联的碳化硅结型场效应管并不是同时开通或关闭,在短时间内最后开通或关闭的硅结型场效应管引脚会承受很高的母线电压,引脚处温度会急剧升高,导致引脚散热不及时,严重影响可靠性,降低了场效应管的使用寿命。

实用新型内容

针对背景技术中的不足,本实用新型实施例提供一种超级联碳化硅结型场效应管,通过在场效应管引脚设置散热结构,使得在超级联碳化硅结型场效应管电路中处于较高温度时,能进行及时的散热,保证了场效应管的可靠性,能有效解决现有技术中的问题。

为了实现上述目的,本实用新型实施例提供如下技术方案:

一种超级联碳化硅结型场效应管,包括绝缘的壳体,在所述壳体外侧边设置有与G极、D极和S极相对应连接的引脚,所述引脚包括从壳体内部引出的内连接片,所述内连接片外露端连接有散热段,所述散热段包括散热内腔和散热栅,所述内连接片穿设在散热内腔内部,所述散热栅连接有外连接片,并且所述外连接片贯穿所述散热栅与所述内连接片连接。

本实用新型实施例的特征还在于,所述散热内腔四周设置为向内凹弧形面,并且在所述内凹弧形面上设置有均匀分布的散热孔。

本实用新型实施例的特征还在于,在所述散热内腔内设置有导热薄片,所述导热薄片连接在所述内弧形面与所述外连接片之间。

本实用新型实施例的特征还在于,所述散热栅从所述散热内腔一端由大到小向所述外连接片上聚拢,在所述散热栅四周设置有栅格。

本实用新型实施例的特征还在于,所述内连接片与外连接片通过焊接的方式连接在所述散热内腔内部。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

本实用新型通过在场效应管中设置散热结构,在超级联电路中,能有效通过引脚对场效应管进行散热,保证场效应管电参数不会发生剧烈变化,保障了整个电路的可靠性,也使得场效应管的使用寿命增加。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是示例性的,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。

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