[实用新型]一种SiC模块的双面冷却结构有效
| 申请号： | 201920716904.2 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN209592027U | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 崔素杭;王静辉;白欣娇;田志怀;甘琨;李晓波 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488;H01L23/367 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 郄旭宁 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率端子 源极 双面冷却 本实用新型 寄生电感 金属薄片 向上设置 向下设置 纳米银 烧结层 体积小 散热 | ||
1.一种SiC模块的双面冷却结构，包括DBC板组、设置于DBC板组上的功率端子O、功率端子P、功率端子N，SiC mosfet M1、SiC mosfet M2，其特征在于：所述的DBC板组包括下DBC板(1)、中DBC板(2)和上DBC板(3)，所述SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别设置于下DBC板(1)上且与下DBC板(1)之间设置有纳米银烧结层，所述的SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1向上设置，SiC mosfet M2的源极S2、栅极G2向下设置，中DBC板(2)设置于SiC mosfet M1上方与SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1连接，所述的SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别借助金属薄片(4)与上DBC板(3)连接。
2.根据权利要求1所述的一种SiC模块的双面冷却结构，其特征在于：功率端子P、功率端子N，分别设置于下DBC板(1)上且与下DBC板(1)之间设置有纳米银烧结层，所述的功率端子O设置与上DBC板(3)上且与上DBC板(3)之间设置有纳米银烧结层。
3.根据权利要求1所述的一种SiC模块的双面冷却结构，其特征在于：所述的中DBC板(2)的下端设置有铜层。
4.根据权利要求1所述的一种SiC模块的双面冷却结构，其特征在于：所述的下DBC板(1)与上DBC板(3)之间设置有环氧树脂填充层。
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