[实用新型]一种新型高温电阻加热的HVPE加热器

说明书

本实用新型提供一种新型高温电阻加热的HVPE加热器，包括上机柜、中机柜、下机柜以及真空加热腔体，所述真空加热腔体安装在中机柜内，所述真空加热腔体下端面安装腔体下盖，所述腔体下盖下端面安装下升降机构，所述下升降机构安装在下机柜内，所述腔体下盖上端面安装高温加热器一，所述高温加热器一内安装源坩埚，所述真空加热腔体上端面安装腔体上盖，且真空加热腔体内部上侧安装高温加热器二，所述腔体上盖上端面安装上升降机构，所述上升降机构安装在上机柜内，所述腔体上盖上端面安装内衬管，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：提高化合物半导体如GaN或AlN等的工艺研发的温度范围，降低了研发及生产的局限性。

技术领域

本实用新型是一种新型高温电阻加热的HVPE加热器，属于HVPE加热器技术领域。

背景技术

HVPE应用于半导体功率器件、LED等行业的化合物半导体如GaN、AlN等的晶体和厚膜工艺的生长。

目前行业内所使用的HVPE系统其加热系统大多采用电阻加热方式，最高可加热到1200℃，难以实现更高的温度，对化合物半导体如GaN或AlN等的晶体或厚膜工艺的研发和生产带来了诸多的困难，大大增加了工艺研发的难度以及产品性能的提升。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种新型高温电阻加热的HVPE加热器，以解决上述背景技术中提出HVPE系统采用电阻加热方式，最高可加热到1200℃，难以实现更高的温度，对化合物半导体如GaN或AlN等的晶体或厚膜工艺的研发和生产带来了诸多的困难，大大增加了工艺研发的难度以及产品性能提升的问题，本实用新型提高化合物半导体的工艺研发的温度范围，降低研发及生产的局限性。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种新型高温电阻加热的HVPE加热器，包括上机柜、中机柜、下机柜以及真空加热腔体，所述中机柜安装在下机柜上端面，所述上机柜安装在中机柜上端面，所述真空加热腔体安装在中机柜内，所述真空加热腔体下端面安装腔体下盖，所述腔体下盖下端面安装下升降机构，所述下升降机构安装在下机柜内，所述腔体下盖上端面安装高温加热器一，所述高温加热器一内安装源坩埚，所述下机柜右侧设置供气系统，所述供气系统通过软管连接腔体下盖，所述真空加热腔体上端面安装腔体上盖，且真空加热腔体内部上侧安装高温加热器二，所述腔体上盖上端面安装上升降机构，所述上升降机构安装在上机柜内，所述腔体上盖上端面安装内衬管，所述内衬管下端延伸至高温加热器二内，所述上机柜内安装载板，所述载板上端面开设螺纹孔，所述螺纹孔内啮合螺纹杆，所述螺纹杆下端延伸至内衬管内并安装衬底，所述下机柜左侧设置真空系统，所述真空系统通过真空管道与腔体上盖相连接。

进一步地，所述腔体上盖上端面安装密封电极，所述密封电极套设在内衬管上。

进一步地，所述下升降机构包括伺服电机一、丝杆一以及滚珠螺母副一，所述伺服电机一安装在下机柜内部下端面，且伺服电机一输出端安装丝杆一，所述丝杆一上端通过滚动轴承与下机柜滚动连接，且丝杆一上套设滚珠螺母副一，所述滚珠螺母副一与腔体下盖固定连接。

进一步地，所述上升降机构包括伺服电机二、丝杆二以及滚珠螺母副二，所述伺服电机二安装在上机柜内部上端面，且伺服电机二输出端安装丝杆二，所述丝杆二下端通过滚动轴承与上机柜滚动连接，且丝杆二上套设滚珠螺母副二，所述滚珠螺母副二与腔体上盖固定连接。

本实用新型的有益效果：本实用新型利用高温加热器一和高温加热器二在真空加热腔体内形成两个不同温度的温区，满足化合物半导体如GaN或AlN等的晶体或厚膜生长工艺需要在真空状态或大气压状态下进行，并且需要两个不同温度温区的要求，提高加热系统的最高升温温度，最高温度可达到2200℃，大大提高化合物半导体如GaN或AlN等的工艺研发的温度范围，降低了研发及生产的局限性，使产品的性能指标得到了大大的提升。

附图说明