[实用新型]一种钙钛矿光电探测器

权利要求书

1.一种钙钛矿光电探测器，其特征在于，包括自下而上依次组成的衬底、底层电极、光吸收层、顶层电极和光学调制层，所述光学调制层包括下层的电介质层和上层的光反射膜层，所述电介质层选自Si、ZnO、ZnS、Si₃N₄、Al₂O₃、SiO₂和TiO₂中的一种，所述光反射膜层选自Au、Ag、Al、Cu、Ni、Pt、Ti、TiN和ZrN中的一种。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，当所述电介质层选自ZnO、SiO₂和TiO₂中的一种时，所述光反射膜层选自Au或Ag；或，

当所述电介质层为Al₂O₃时，所述光反射膜层为TiN。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述电介质层的厚度为10～200nm。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述光反射膜层的厚度为5～50nm。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述的底层电极选自Au、Ag、Al、Cu、Ni、Pt和Ti中的一种；

所述底层电极的厚度为50～500nm。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述的光吸收层选自CH₃NH₃PbI₃、CsPbI₂Br和CH(NH₂)₂PbI₃中的一种。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述光吸收层的厚度为50nm～1μm。

8.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述的顶层电极选自Au、Ag、Al、Cu、Ni、Pt、Ti、TiN和ZrN中的一种。

9.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述顶层电极的厚度为5～50nm。