[实用新型]一种分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置

权利要求书

1.一种分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置，其特征在于，所述的四极质谱测量装置包括进样单元、一级纯化单元、二级纯化单元、低温提取单元和四极测量单元；

进样单元包括通道（1）、全金属微漏阀（2）、样品室（3）、薄膜压力计（4）、隔离阀Ⅰ（5）、隔离阀Ⅱ（7）和金属三通接头（6）；金属三通接头（6）的进气端通过通道（1）与样品瓶连通，金属三通接头（6）的一个出气端通过通道（1）与隔离阀Ⅰ（5）、全金属微漏阀（2）和样品室（3）顺序连通，金属三通接头（6）的另一个出气端通过通道（1）与隔离阀Ⅱ（7）和涡旋干泵（22）顺序连通；薄膜压力计（4）测量样品室（3）的压力；

一级纯化单元包括高温去气炉（8）和全金属角阀Ⅰ（9），所述的高温去气炉（8）通过全金属角阀Ⅰ（9）与样品室（3）连通，高温去气炉（8）中装填有吸附材料Ⅰ（10）；

二级纯化单元包括样品通道（11）、去气炉（12）和真空规（14）；所述的样品室（3）通过样品通道（11）与全金属隔离阀Ⅱ（13）、全金属角阀Ⅵ（26）、全金属隔离阀Ⅲ（27）、全金属角阀Ⅴ（25）、全金属角阀Ⅲ（15）和去气炉（12）顺序连通，全金属角阀Ⅵ（26）上还顺序安装有涡轮分子泵（23）和涡旋干泵（22），全金属角阀Ⅴ（25）上还安装有离子溅射泵（24），全金属角阀Ⅴ（25）、全金属角阀Ⅲ（15）之间的样品通道（11）上安装有真空规（14）；去气炉（12）中装填有吸附材料Ⅱ（16）；

低温提取单元包括低温吸附柱（17），低温吸附柱（17）通过全金属角阀Ⅳ（18）与样品通道（11）连接，低温吸附柱（17）工作时放置在外置低温装置（19）的低温池内；

四极测量单元包括四极质量分析器（20），四极质量分析器（20）通过全金属隔离阀Ⅰ（21）与样品通道（11）连接。

2.根据权利要求1所述的分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置，其特征在于，所述的进样单元中样品室（3）的体积小于等于60mL，样品室（3）的材质为316型无磁不锈钢，样品室（3）的内壁电抛光后镀金处理。

3.根据权利要求1所述的分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置，其特征在于，所述的一级纯化单元中，高温去气炉（8）内装填的吸附材料为海绵钛或锆钒铁中的一种。

4.根据权利要求1所述的分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置，其特征在于，所述的二级纯化单元中，去气炉（12）内装填的吸附材料为锆铝合金材料，锆的重量百分比为84%、铝的重量百分比为16%。

5.根据权利要求1所述的分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置，其特征在于，所述的二级纯化单元中，样品通道（11）的材质为316型无磁不锈钢，样品通道（11）的内壁电抛光后镀金处理。

6.根据权利要求1所述的分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置，其特征在于，所述的低温提取单元中，外置低温装置（19）的低温池的温度范围为78K～300K，温度控制精度为±1K/min。

7.根据权利要求1所述的分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置，其特征在于，所述的进样单元中，金属三通接头（6）的材质为316型无磁不锈钢，金属三通接头（6）的内壁电抛光，金属三通接头（6）为整体加工成型部件。

8.根据权利要求1所述的分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置，其特征在于，所述的进样单元、一级纯化单元、二级纯化单元和低温提取单元中的金属材料部件在600℃真空环境中烘烤48h及以上。

9.根据权利要求1所述的分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置，其特征在于，所述的进样单元、一级纯化单元、二级纯化单元和低温提取单元中连接位置采用法兰连接，法兰的出口处采用内部焊接。

10.根据权利要求1所述的分析ppb量级氙同位素丰度比的四极质谱测量装置，其特征在于，所述的样品室（3）和样品通道（11）真空度小于10^-7Pa。