[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201920691975.1 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN210092094U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底中具有源区和漏区，所述源区和漏区中具有凹槽；
金属硅化物层，位于所述凹槽的四周侧壁表面；
绝缘层，位于所述凹槽的底部表面，且所述绝缘层的边缘与所述凹槽四周侧壁上的所述金属硅化物层底部表面接触；
导电层，填充在所述凹槽中并位于所述金属硅化物层及所述绝缘层上。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖所述绝缘层以及对应覆盖所述凹槽侧壁上的所述金属硅化物层。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层包括氮化钛层和位于所述氮化钛层上的钛层，或者包括氮化钽层和位于所述氮化钽层上钽层，或者包括镓层与位于所述镓层上氮化镓层。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层的材料包括硅化钴、硅化镍、硅化铂、硅化钽、硅化钼及硅化钛中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氧化钴、氧化镍、氧化铂、氧化钽、氧化钼及氧化钛中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层的厚度为10-50nm，绝缘层的厚度为1-2nm。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述源区和漏区分别位于栅极结构两侧的半导体衬底中。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底上还具有介质层，所述介质层中具有金属插塞，所述金属插塞与所述导电层连接。
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