[实用新型]一种用于核磁共振的射频发射电路

说明书

本实用新型提出了一种用于核磁共振的射频发射电路，通过在DDS信号源中设置频率合成器和数模转换器，频率合成器可以使输出的射频信号频率稳定性高，频率分辨率高，同时输出频率范围宽，可以有效地满足核磁共振系统对信号源的要求；数模转换器可以准确快速地定位最佳的核磁共振信号的频率点；通过在功率放大器中设置一级放大电路和二级放大电路，通过一级放大电路对DDS信号源输出信号进行预放大，保证波形具有较小的失真度，保证DDS信号源输出信号可以无衰减地传输至二级放大电路；通过二级放大电路，可以使DDS输出信号的功率满足驱动线圈所需的功率。

技术领域

本实用新型涉及核磁共振领域，尤其涉及一种用于核磁共振的射频发射电路。

背景技术

射频电路是核磁共振的基础，它能提供电磁波所需的射频信号，随着核磁共振技术朝着数字化和微型化发展的重要趋势，对射频电路的要求也日益提高，同时要求射频信号具有频率稳定度高、相位噪声低、频率分辨率高等特性，射频电路具有集成度高、体积下、成本低等特征，因此，为满足射频电路数字化和微型化的要求，本实用新型提供一种频率稳定度高、频率分辨率高和体积小的射频反射电路。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出了一种频率稳定度高、频率分辨率高和体积小的射频反射电路。

本实用新型的技术方案是这样实现的：本实用新型提供了一种用于核磁共振的射频发射电路，其包括单片机、DDS信号源、选层包络发生器、混频器、功率放大器和线圈，功率放大器包括一级放大电路和二级放大电路；

DDS信号源与混频器的本振信号输入端电性连接，选层包络发生器与混频器的中频信号输入端电性连接，混频器的射频信号输出端、一级放大电路、二级放大电路和线圈顺次电性连接，单片机分别与DDS信号源和选层包络发生器电性连接。

在以上技术方案的基础上，优选的，一级放大电路包括运算放大器、电阻R50-R57、电容C112-C114、MOS管Q7-Q8、三极管Q9；

运算放大器的同相输入端与混频器的射频信号输出端电性连接，电阻R50的一端与运算放大器的同相输入端电性连接，电阻R50的另一端接地，运算放大器的反相输入端与运算放大器的输出端电性连接，运算放大器的输出端通过电容C112与MOS管Q7的栅极电性连接，MOS管Q7的栅极通过电阻R51与电源电性连接，MOS管Q7的源极通过电阻R56与电源电性连接，MOS管Q7的漏极通过电阻R52与三极管Q9的集电极电性连接，MOS管Q7的源极通过电容C113与MOS管Q8的源极电性连接，MOS管Q8的源极通过电阻R53与三极管Q9的集电极电性连接，MOS管Q8的漏极通过电阻R57与电源电性连接，MOS管Q8的栅极通过电容C114接地，MOS管Q8的通过电阻R55与电源电性连接，三极管Q9的发射极通过电阻R54接地，三极管Q9的基极与电源电性连接。

进一步优选的，二级放大电路包括MOS管Q10-Q11、电阻R58-R62、电容C115、电容C116、电感L41-L43、二极管D6和二极管D7；

MOS管Q10的栅极与MOS管Q7的漏极电性连接，MOS管Q10的栅极通过电阻R60与电源电性连接，MOS管Q10的源极通过电阻R58接地，MOS管Q10的漏极通过电感L42与电源电性连接，MOS管Q10的漏极通过串联的电容C116和电感L40分别与二极管D6的正极和二极管D7的负极电性连接，二极管D6的负极和二极管D7的正极均通过电阻R62接地，MOS管Q11的栅极与MOS管Q8的漏极电性连接，MOS管Q11的栅极通过电阻R61与电源电性连接，MOS管Q11的源极通过电阻R59接地，MOS管Q11的漏极通过电感L43与电源电性连接，MOS管Q11漏极通过串联的电容C115和电感L41接地。

在以上技术方案的基础上，优选的，DDS信号源包括相互连接的频率合成器和数模转换器；

单片机分别与频率合成器和数模转换器电性连接，频率合成器与混频器的本振信号输入端电性连接。