[实用新型]基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统有效
申请号: | 201920667935.3 | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN209766860U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 王俊;刘恒;谭少阳 | 申请(专利权)人: | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/00 |
代理公司: | 32293 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人: | 杨淑霞 |
地址: | 215163 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光点 转轴 本实用新型 背面电极 正面电极 衬底层 反射镜 外延层 反射镜转动 激光器点阵 点阵 光源系统 驱动机构 依次层叠 出射光 投射 成像 反射 垂直 扫描 驱动 发射 | ||
本实用新型提供一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统,其包括:单发光点VCSEL激光器以及MEMS微镜;单发光点VCSEL激光器包括:背面电极、衬底层、外延层、正面电极,正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置,MEMS微镜位于单发光点VCSEL激光器的出射光路上,MEMS微镜包括:反射镜以及驱动反射镜转动的驱动机构,反射镜具有第一转轴以及第二转轴,第一转轴与第二转轴相垂直。本实用新型通过MEMS微镜将单发光点VCSEL激光器发射的光线进行反射,快速地以点阵的方式投射到物体上,实现物体的成像,其避免了设置密集的激光器点阵。
技术领域
本实用新型涉及VCSEL面光源技术领域,尤其涉及一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统。
背景技术
VCSEL器件全称为垂直腔面发射激光器,兴起于上个世纪70年代,经过近几十年的发展获得了长足的进步。相比于边发射半导体激光器,VCSEL具有激光出射方向垂直于衬底表面、可获得圆形光斑、动态单模性好、易于和其他半导体器件集成等优点。凭借这些优点VCSEL器件获得了人们的广泛关注,逐步在3D成像、光通信、光存储、激光显示和照明等领域获得了应用。
在3D成像领域中,例如VCSEL器件用于智能手机上进行人脸识别时,目前主流的VCSEL面光源系统主要通过提高激光器点阵发光点数目和密度实现高精度的3D成像。然而,上述方式存在成本高,工艺复杂的问题。因此,针对上述问题,有必要提出进一步的解决方案。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统,以克服现有技术中存在的不足。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:
一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统,其包括:单发光点VCSEL激光器以及MEMS微镜;
所述单发光点VCSEL激光器包括:背面电极、衬底层、外延层、正面电极,所述正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置,所述MEMS微镜位于所述单发光点VCSEL激光器的出射光路上,所述MEMS微镜包括:反射镜以及驱动所述反射镜转动的驱动机构,所述反射镜具有第一转轴以及第二转轴,所述第一转轴与所述第二转轴相垂直。
作为本实用新型的VCSEL单发光点光源系统的改进,所述衬底层为导电半导体衬底层。
作为本实用新型的VCSEL单发光点光源系统的改进,所述外延层为高掺杂的半导体外延层。
作为本实用新型的VCSEL单发光点光源系统的改进,所述外延层包括:上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构,所述上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置。
作为本实用新型的VCSEL单发光点光源系统的改进,所述驱动机构包括:金属线圈以及磁铁,所述金属线圈位于所述反射镜的外围,并与所述反射镜的四周边缘相抵靠,所述磁铁位于所述反射镜下方。
作为本实用新型的VCSEL单发光点光源系统的改进,所述反射镜以第一转轴进行转动时,所述单发光点VCSEL激光器对扫描区域的一列进行扫描,所述反射镜以第二转轴进行转动时,所述单发光点VCSEL激光器对扫描区域的一行进行扫描。
作为本实用新型的VCSEL单发光点光源系统的改进,所述单发光点VCSEL激光器形成对扫描区域进行逐列扫描或者逐行扫描的周期排列的扫描点阵。
作为本实用新型的VCSEL单发光点光源系统的改进,所述单发光点VCSEL激光器对扫描区域进行非规则扫描形成不规则排列的扫描点阵。
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