[实用新型]一种气体纯化装置有效
申请号: | 201920659389.9 | 申请日: | 2019-05-09 |
公开(公告)号: | CN210121411U | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 赵毅;赵趫;王天源;计燕秋;张琳 | 申请(专利权)人: | 大连保税区科利德化工科技开发有限公司 |
主分类号: | B01D53/04 | 分类号: | B01D53/04;B01D5/00 |
代理公司: | 大连八方知识产权代理有限公司 21226 | 代理人: | 高杰 |
地址: | 116600 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气体 纯化 装置 | ||
本实用新型提供一种气体纯化装置,由原料瓶、缓冲瓶、加料罐、吸附罐、冷凝器、产品罐通过管路连接而成,所述的原料瓶装有待纯化粗原料,出口通过管路与缓冲瓶的进口相接,管路中装有阀门;所述的缓冲瓶的出口通过管路接入吸附罐内的下部,连接管路中装有阀门;所述的加料罐通过管路与吸附罐相接;所述的吸附罐的出口通过管路与冷凝器的入口相接,连接管路中装有阀门;所述的冷凝器的出口与产品罐相接,连接管路中装有阀门;其特征在于:所述的吸附罐内装有折流板、不锈钢θ环和氧化钡,底部设有排料口。具有接触面积大,停留时间长、纯化效果好等优点。
技术领域
本实用新型涉及一种深度脱水的纯化装置,具体的是涉及深度纯化氨气体中的水,属于化工分离技术领域。
背景技术
高纯氨气是半导体技术发展需求的重要材料,主要应用在IC;LCD,OLED,LED,PV等领域,在半导体技术中,高纯氨气是重要的成膜材料,形成氮化硅、氮化镓、氮化铝等等,作为直接生长用的氮源,水的含量是影响薄膜光电性能的重要指标,深度脱出氨中的水是保证外延生长、芯片制造的基础,高质量的氨气水含量要求20*10-9V/V 以下,随着半导体技术的发展,对气体中的水含量提出更高的要求,通常氨气脱水采用硅胶、分子筛、氧化铝吸附以及精馏、冷冻等方法,脱出水的深度达到50-100*10-9V/V,对于更高要求的提纯,无法提高产品的纯化深度。
发明内容
为克服现有技术的缺点,本实用新型的目的是提供一种通过化学反应的脱水装置,以实现稳定的气体纯化效果。
脱水原理:
BaO+H2O ---Ba(OH)2
本实用新型目的技术解决方案是:一种气体纯化装置,由原料瓶、缓冲瓶、加料罐、吸附罐、冷凝器、产品罐通过管路连接而成,所述的原料瓶装有待纯化粗原料,出口通过管路与缓冲瓶的进口相接,管路中装有阀门;所述的缓冲瓶的出口通过管路接入吸附罐内的下部,连接管路中装有阀门;所述的加料罐通过管路与吸附罐相接;所述的吸附罐的出口通过管路与冷凝器的入口相接,连接管路中装有阀门;所述的冷凝器的出口与产品罐相接,连接管路中装有阀门;其特征在于:所述的吸附罐内装有折流板、不锈钢θ环和氧化钡,底部设有排料口。
本实用新型同现有技术相比具有接触面积大,停留时间长、纯化效果好等优点。
附图说明
图1为本实用新型实施例的气体纯化装置示意图。
图中:1、原料瓶 ,2、缓冲瓶,3、加料罐,4、吸附罐,5、冷凝器,6、产品罐,7、排料口,8、折流板,9、不锈钢θ环。
具体实施方式
下面结合附图说明实施例:
原料瓶1装有待纯化粗原料,工作时加热到35℃;缓冲瓶2为保持汽化后的原料稳定的进料;加料罐3用于吸附剂补加;吸附罐4内部加有折流板6,加有不锈钢θ环9及氧化钡;冷凝器5温度控制在0-5℃之间;产品罐6收集纯化后的产品。
1、原料氨气体含有水1000*10-9V/V,流量每分钟2000ml,常温条件下通过反应器,冷凝收集产品,采用光腔震荡激光专用水分仪检测,结果水11*10-9V/V;
2、原料氨气体含有水1000*10-9V/V,流量每分钟3000ml,常温条件下通过反应器,冷凝收集产品,检测结果水15*10-9V/V;
3、原料氨气体含有水2000*10-9V/V,流量每分钟2000ml,常温条件下通过反应器,冷凝收集产品,检测结果水12*10-9V/V;
结论:采用本装置深度脱出氨气中的水,脱出深度达到20*10-9V/V以下。
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