[实用新型]一种高压多次外延型超结MOSFET的结构有效
| 申请号： | 201920638621.0 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN209981222U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 薛璐;王颖菲;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 第一导电类型 导电类型 体区 本实用新型 电阻率 半导体器件 超结MOSFET 超结器件 耐压能力 外延工艺 衬底 穿过 生长 延伸 制造 | ||
1.一种高压多次外延型超结MOSFET的结构，包括若干个相互并联的超结器件单元，所述超结器件单元包括第一导电类型第一外延层（2）及位于第一导电类型第一外延层（2）下方的第一导电类型衬底（1），其特征在于，在所述第一导电类型第一外延层（2）上设有多次外延形成的第一导电类型第二外延层（3），所述第一导电类型第二外延层（3）内设有第二导电类型体区（4），在所述第二导电类型体区（4）下方设有多次外延第二导电类型柱（6），所述多次外延第二导电类型柱（6）从第二导电类型体区（4）底部穿过第一导电类型第二外延层（3）延伸至第一导电类型第一外延层（2）内，且多次外延第二导电类型柱（6）深入到第一导电类型第一外延层（2）内的深度不超过5μm；所述第一导电类型第一外延层（2）的电阻率大于第一导电类型第二外延层（3）的电阻率。
2.根据权利要求1所述的一种高压多次外延型超结MOSFET的结构，其特征在于，所述第一导电类型第一外延层（2）的电阻率为1ohm-300ohm，厚度为2μm~700μm。
3.根据权利要求1所述的一种高压多次外延型超结MOSFET的结构，其特征在于，所述第二导电类型体区（4）内设有第一导电类型源区（5），所述第二导电类型体区（4）上方设有栅氧化层（7）、位于栅氧化层（7）上的导电多晶硅（8）、包围所述栅氧化层（7）、导电多晶硅（8）的绝缘介质层（9）及源极金属（10），所述源极金属（10）分别与第一导电类型源区（5）、第二导电类型体区（4）接触。
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