[实用新型]晶体管器件

说明书

本实用新型涉及一种晶体管器件。该晶体管器件，仅在器件层对应衬底第二区域和第三区域的部分形成缝隙，并使源极和漏极沿所述缝隙延伸。该晶体管器件，可以增加源极和漏极与器件层之间的欧姆接触，减小源极和漏极与器件层之间的电阻，增加晶体管器件的工作效果。

技术领域

本实用新型涉及晶体管器件技术领域，特别是涉及晶体管器件。

背景技术

晶体管器件是三端开关器件，目前广泛应用于雷达、卫星、基地台、电子器件和无线充电器等。

传统的晶体管器件，其栅极一般与器件层肖特基接触；源极和漏极一般与器件层欧姆接触。

发明人在实现传统技术的过程中发现：传统的晶体管器件，其源极和漏极与器件层之间的欧姆接触效果差，接触电阻较大。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统技术中存在的晶体管器件的源极和漏极与器件层之间的欧姆接触效果差，接触电阻较大的问题，提供一种晶体管器件及其制备方法。

一种晶体管器件，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一区域，以及分别与所述第一区域相邻的第二区域和第三区域；图形化层，覆盖所述第一区域；缓冲层，覆盖所述图形化层和所述第二区域、第三区域，所述缓冲层具有远离所述衬底的平坦化表面；器件层，覆盖所述平坦化表面，所述器件层包括远离所述平坦化表面的器件层表面；沿所述晶体管器件的层叠方向的反方向，所述器件层位于所述第二区域和第三区域的部分具有从所述器件层表面向所述衬底延伸的缝隙；栅极，覆盖所述器件层表面，且所述栅极在所述第一表面上的垂直投影位于所述第一区域内；源极和漏极，覆盖所述器件层表面，且所述源极在所述第一表面上的垂直投影位于所述第二区域内，所述漏极在所述第一表面上的垂直投影位于所述第三区域内，所述源极和所述漏极还沿所述缝隙延伸。

上述晶体管器件，其仅在器件层对应衬底第二区域和第三区域的部分形成缝隙，并使源极和漏极沿所述缝隙延伸。该晶体管器件，可以增加源极和漏极与器件层之间的欧姆接触，减小源极和漏极与器件层之间的电阻，增加晶体管器件的工作效果。

一种晶体管器件的制备方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一区域，以及分别与所述第一区域相邻的第二区域和第三区域；

制备图形化层，覆盖所述第一区域；

制备缓冲层，覆盖所述图形化层和所述第二区域、第三区域，所述缓冲层具有远离所述图形化层的平坦化表面；

制备器件层，覆盖所述平坦化表面，所述器件层包括远离所述平坦化表面的器件层表面；

制备栅极，覆盖所述器件层表面，并使所述栅极在所述第一表面的垂直投影位于所述第一区域内；下面参考修改

制备源极和漏极，覆盖所述器件层表面，并使所述源极在所述第一表面的垂直投影位于所述第二区域内，所述漏极在所述第一表面的投影位于所述第三区域内；

加热所述器件层，形成自所述器件层表面向所述衬底延伸的缝隙，并使所述源极和所述漏极渗入所述缝隙内。

上述晶体管器件的制备方法，通过在衬底的第一区域上制备图形化层，可以使器件层加热时产生的缝隙仅位于器件层对应第二区域和第三区域的部分。以此，当源极和漏极沿所述缝隙延伸时，即可增加源极和漏极与器件层之间的欧姆接触，减小源极和漏极与器件层之间的电阻，增加晶体管器件的工作效果。

附图说明

图1为本申请一个实施例中晶体管器件的制备工艺流程图。

图2为本申请一个实施例中晶体管器件的剖面结构示意图。

图3为本申请另一个实施例中晶体管器件的剖面结构示意图。