[实用新型]一种高分辨率显示的TFT结构

说明书

本实用新型涉及微电子技术领域，特别涉及一种高分辨率显示的TFT结构，包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括玻璃层、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，通过将第一半导体层和第二半导体层设置在不同结构层，能够缩小亚像素补偿电路设计需求的尺寸，从而提升面板的分辨率。

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，特别涉及一种高分辨率显示的TFT结构。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting diode，缩写为AMOLED)，随着AMOLED屏幕快速抢占市场，如何提升AMOLED显示屏分辨率及显示品质显得非常迫切。现有AMOLED补偿电路TFT半导体层均位于同层，其中AMOLED补偿电路中OLED驱动TFT希望拥有适合的亚阈值摆幅，有利于调整AMOLED灰阶显示(工作于线性区)，但其它TFT又希望拥有小的亚阈值摆幅(工作于饱和区)以实现快速Vth补偿响应，这两类TFT对亚阈值摆幅的需求彼此矛盾。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：一种高分辨率显示的TFT结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种高分辨率显示的TFT结构，包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括玻璃层，在所述TFT区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第五绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层，所述TFT区域结构的第二绝缘层上设有第一过孔，所述TFT区域结构的第三绝缘层上设有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔相对设置且连通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有第二金属层，所述第二金属层与所述第一半导体层接触，所述TFT区域结构的第五绝缘层上设有第三过孔，所述TFT区域结构的第一有机层上设有第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔相对设置且连通，所述第三过孔和所述第四过孔中均填充有第四金属层，所述第四金属层与所述TFT区域结构的第三金属层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。

本实用新型的有益效果在于：

通过在TFT区域结构设置第一金属层以形成栅极扫描信号，设置第二金属层以形成数据信号，设置第四金属层以形成有机发光二极管的阳极；设置第一半导体层和第二半导体层，且将第一半导体层和第二半导体层设置在不同结构层，能够缩小亚像素补偿电路设计需求的尺寸，从而提升面板的分辨率。本方案设计的AMOLED显示结构能够调控TFT区域结构的亚阈值摆幅(即电性特性，驱动TFT因OLED灰阶控制精准需求：亚阈值摆幅值大于其它补偿电路TFT器件亚阈值摆幅)和兼容阈值电压补偿的快速响应以及AMOLED灰阶显示调控。

附图说明

图1为根据本实用新型的一种高分辨率显示的TFT结构的结构示意图；

图2为根据本实用新型的一种高分辨率显示的TFT结构的实施例二的结构示意图；

标号说明：

1、电容区域结构；

2、TFT区域结构；201、玻璃层；202、第一绝缘层；203、第一半导体层；204、第二绝缘层；205、第一金属层；206、第三绝缘层；207、第二金属层；208、第四绝缘层；209、第二半导体层；210、第三金属层；211、第五绝缘层；212、第一有机层；213、第四金属层；214、第二有机层；215、第五金属层；216、有机发光材料层；217、第六绝缘层。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。